寄生二极管由来
是由生产工艺构成的，大功率MOS管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也便是与源极同等一方向，没有这个二极管。模仿电路书里讲得便是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接S极，因而天然在DS之间有二极管。如果在IC里边，N—MOS衬底接最低的电压，P—MOS衬底接最高电压，纷歧定和S极相连，所以DS之间纷歧定有寄生二极管。
寄生二极管效果：
当电路中发生很大的瞬间反向电流时，能够经过这个二极管导出来，不至于击穿这个MOS管。(起到维护MOS管的效果)
沟槽Trench型N沟道增强型功率MOSFET的结构如下图所示，在N-epi外延层上分散构成P基区，然后经过刻蚀技能构成深度超越P基区的沟槽，在沟槽壁上热氧化生成栅氧化层，再用多晶硅填充沟槽，使用自对准工艺构成N+源区，反面的N+substrate为漏区，在栅极加上必定正电压后，沟槽壁侧的P基区反型，构成笔直沟道。
由下图中的结构能够看到，P基区和N-epi构成了一个PN结，即MOSFET的寄生体二极管。
MOSFET剖面结构
体二极管主要参数
二极管特性测验电路
二极管康复曲线
MOSFET体二极管反向康复进程波形
MOSFET体二极管使用场合
全桥逆变电路
三相桥电路
LLC半桥谐振电路ZVS
移相全桥PSFB ZVS
HID照明(ZVS)
MOSFET体二极管使用剖析
MOSFET体二极管反向康复
LLC半桥谐振变换器
LLC电压增益
LLC变换器 ZVS状况下模态切换
LLC变换器作业波形(ZVS形式)
LLC变换器作业波形(ZVS形式，轻载)
LLC变换器 ZCS状况下模态切换
LLC变换器作业波形
LLC变换器输出短路状况1波形
LLC变换器输出短路状况2波形
LLC发动进程 – 二极管反向康复
LLC发动进程 – 二极管反向康复
HID照明电源(带载切换成开路)
HID照明电源发动进程
HID照明电源(低于谐振频率作业波形)
HID照明电源实测波形
