1.正向电压下降，暗光
A：一种是电极与发光资料为欧姆触摸，但触摸电阻大，首要由资料衬底低浓度或电极残缺所形成的。
B：一种是电极与资料为非欧姆触摸，首要发生在芯片电极制备进程中蒸腾第一层电极时的挤压印或夹印，散布方位。
别的封装进程中也或许形成正向压下降，首要原因有银胶固化不充分，支架或芯片电极沾污等形成触摸电阻大或触摸电阻不稳定。 正向压下降的芯片在固定电压测验时，经过芯片的电流小，然后体现暗点，还有一种暗光现象是芯片自身发光功率低，正向压降正常。
2.难压焊：(首要有打不粘，电极掉落，打穿电极)
A：打不粘：首要因为电极外表氧化或有胶
B：有与发光资料触摸不牢和加厚焊线层不牢，其间以加厚层掉落为主。
C：打穿电极：一般与芯片资料有关，资料脆且强度不高的资料易打穿电极，一般GAALAS资料(如高红，红外芯片)较GAP资料易打穿电极.
D：压焊调试应从焊接温度，超声波功率，超声时刻，压力，金球巨细，支架定位等进行调整。
3.发光色彩差异：
A：同一张芯片发光色彩有显着差异首要是因为外延片资料问题，ALGAINP四元素资料选用量子结构很薄，成长是很难确保各区域组分共同。(组分决议禁带宽度，禁带宽度决议波长)。
B：GAP黄绿芯片，发光波长不会有很大误差，可是因为人眼对这个波段色彩灵敏，很简单查出偏黄，偏绿。因为波长是外延片资料决议的，区域越小，呈现色彩误差概念越小，故在M/T作业中有附近选取法。
C：GAP赤色芯片有的发光色彩是偏橙黄 色，这是因为其发光机理为直接跃进。受杂质浓度影响，电流密度加大时，易发生杂质能级偏移和发光饱满，发光是开端变为橙黄色。
4.闸流体效应：
A：是发光二极管在正常电压下无法导通，当电压加高到必定程度，电流发生骤变。
B：发生闸流体现象原因是发光资料外延片成长时呈现了反向夹层，有此现象的LED在IF=20MA时测验的正向压降有躲藏性，在运用进程是出于南北极电压不行大，体现为不亮，可用测验信息仪器从晶体管图示仪测验曲线，也能够经过小电流IF=10UA下的正向压降来发现，小电流下的正向压降显着偏大，则或许是该问题所形成的。
5.反向漏电：
A：原因：外延资料，芯片制造，器材封装，测验一般5V下反向漏电流为10UA，也能够固定反向电流下测验反向电压。
B：不同类型的LED反向特性相差大：普绿，普黄芯片反向击穿可到达一百多伏，而普芯片则在十几二十伏之间。
C：外延形成的反向漏电首要由PN结内部结构缺点所形成的，芯片制造进程中旁边面腐蚀不行或有银胶丝沾附在测面，严禁用有机溶液分配银胶。以避免银胶经过毛细现象爬到结区。
