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产品概况
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，经过可选偏置操控完成自偏置，以下降IDQ。HMC902LP3E选用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的作业频率规模为5 GHz至11 GHz，供给19.5 dB的小信号增益，1.8 dB的噪声系数，28 dBm的输出IP3，选用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。
16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像按捺混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出，内部匹配50 Ω，因此十分合适高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)使用。
使用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电
- 军事和太空
- 测验仪器仪表
优势和特色
- 低噪声系数：1.8 dB（典型值）
- 高增益：19.5 dB
- 高P1dB输出功率：16 dBm（典型值）
- 单电源：3.5 V (80 mA)
- 输出IP3：28 dBm
- 50 Ω匹配输入/输出
- 经过可选偏置操控完成自偏置，以下降静态漏极操控(IDQ)。
- 3 mm × 3 mm、16引脚芯片级(LFCSP)封装：9 mm²
HMC902LP3E电路图
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HMC902LP3E下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc902lp3e.pdf
