本文首要是关于大功率三极管的相关介绍，并侧重对大功率三极管的符号及其意义进行了翔实的论述。
大功率三极管的符号大全及意义介绍
1、按功率分：小功率：功率在1W以下中功率：1-10W；大功率：10W以上。2、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种操控电流的半导体器材·其效果是把弱小信号扩大成起伏值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体根本元器材之一，具有电流扩大效果，是电子电路的中心元件。三极管是在一块半导体基片上制造两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分红三部分，中心部分是基区，两边部分是发射区和集电区，摆放方法有PNP和NPN两种。
三极管的分类
a;按频率分：高频管和低频管
b;按功率分：小功率管，中功率管和的功率管
c;按组织分：PNP管和NPN管
d;按原料分：硅管和锗管
e;按功用分：开关管和扩大
三极管的首要技术目标
电流扩大系数β
电流扩大系数是电流扩大倍数，用来标明三极管的扩大才能。依据三极管作业状况不同，电流扩大系数又分为直流扩大系数和沟通扩大系数。
直流扩大系数是指在静态无输人改变信号时，三极管集电极电流IC和基极电流IB的比值，故又称为直流扩大倍数或静态扩大系数，一般用hFE或β标明。
沟通电流扩大系数也称动态电流扩大系数或沟通扩大倍数，是指在沟通状况下，三极管集电极电流改变量与基极电流改变量的比值，一般用β′标明。β′是反映三极管扩大才能的重要目标。
虽然β和β′的意义不同，但在小信号下β≈β′，因此在核算时两者取相同值。
2.耗散功率PCM
耗散功率也称集电极最大答应耗散功率PCM，是指三极管参数改变不超越规则答应值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与三极管的最高答应结温文集电极最大电流有密切联系。运用三极管时，三极管实践功耗不答应超越PCM，否则会构成三极管因过载而损坏。
3.频率特性
三极管的电流扩大系数与作业频率有关，假如三极管超越了作业频率规模，则会构成扩大才能下降乃至失掉扩大效果。
三极管的频率特性参数包含特征频率fT和最高振动频率fM。
（1）特征频率fT：三极管的作业频率超越截止频率时，其电流扩大系数β将跟着频率的升高而下降。特征频率是指β降为1时三极管的作业频率。
（2）最高振动频率fM：最高振动频率是指三极管的功率增益降为1时所对应的频率。
4.集电极最大电流ICM
集电极最大电流是指三极管集电极所答应经过的最大电流。集电极电流IC上升会导致三极管的β下降，当β下降到正常值的2/3时，集电极电流即为ICM。
5.最大反向电压
最大反向电压指三极管在作业时所答应加的最高作业电压。最大反向电压包含集电极一发射极反向击穿电压UCEO、集电极一基极反向击穿电压UCBO及发射极—基极反向击穿电压UEBO.
6.反向电流
三极管的反向电流包含集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向电流ICEO.
三极管功能的简易丈量
（1） 用万用表电阻档测ICEO和 
基极开路，万用表黑表笔接NPN管的集电极c、红表笔接发射极e（PNP管相反），此刻c、e间电阻值大则标明ICEO小，电阻值小则标明ICEO大。 用手指替代基极电阻Rb，用上法测c、e间电阻，若阻值比基极开路时小得多则标明 b值大。
（2） 用万用表hFE档测 b
有的万用表有hFE档，按表上规则的极型刺进三极管即可测得电流扩大系数 b，若 b 很小或为零，标明三极管己损坏，可用电阻档别离测两个PN结，承认是否有击穿或断路。
半导体三极管的选用
选用晶体管一要契合设备及电路的要求，二要契合节省的准则。依据用处的不同，一般应考虑以下几个要素：作业频率、集电极电流、耗散功率、电流扩大系数、反向击穿电压、安稳性及饱满压降等。这些要素又具有彼此限制的联系，在选管时应捉住首要矛盾，统筹非有必要要素。 低频管的特征频率fT一般在2.5MHz以下，而高频管的fT都从几十兆赫到几百兆赫乃至更高。选管时应使fT为作业频率的3~10倍。准则上讲，高频管能够代换低频管，可是高频管的功率一般都比较小，动态规模窄，在代换时应留意功率条件。
一般期望b选大一些，但也不是越大越好。b太高了简单引起自激振动，况且一般b高的管子作业多不安稳，受温度影响大。一般b多选40~100之间，但低噪声高b值的管子（如1815、9011~9015等），b值达数百时温度安稳性仍较好。别的，对整个电路来说还应该从各级的合作来挑选b。例如前级用b高的，后级就能够用b较低的管子；反之，前级用 b 较低的，后级就能够用b较高的管子。
集电极-发射极反向击穿电压UCEO应选得大于电源电压。穿透电流越小，对温度的安稳性越好。一般硅管的安稳性比锗管好得多，但一般硅管的饱满压降较锗管为大，在某些电路中会影响电路的功能，应依据电路的具体情况选用，选用晶体管的耗散功率时应依据不同电路的要求留有必定的余量。 对高频扩大、中频扩大、振动器等电路用的晶体管，应选用特征频率fT高、极间电容较小的晶体管，以确保在高频情况下仍有较高的功率增益和安稳性。
半导体光敏器材——光敏三极管
光敏三极管在原理上相似于晶体管，仅仅它的集电结为光敏二极管结构。它的等效电路见图T313。因为基极电流可由光敏二极管供给，故一般没有基极外引线（有基极外引线的产品便于调整静态作业点）。 如在光敏三极管集电极c和发射极e之间加电压，使集电结反偏，则在无光照时，c、e 间只要漏电流ICEO，称为暗电流，巨细约为0.3 μA。有光照时将发生光电流IB，一起IB被“扩大”构成集电极电流IC，巨细在几百微安到几毫安之间。 光敏三极管的输出特性和晶体管相似，仅仅用入射光的照度来替代晶体管输出特性曲线中的IB。光敏三极管制成达林顿方式时，可获得很大的输出电流而能直接驱动某些继电器。 光敏三极管的缺陷是呼应速度（约5 ~ 10 ms）比光敏二极管（几百毫微秒）慢，转化线性差，在低照度或高照度时，光电流扩大系数 
值变小。
运用光敏三极管时，除了管子实践运行时的电参数不能超限外，还应考虑入射光的强度是否恰当，其光谱规模是否适宜。过强的入射光将使管芯的温度上升，影响作业的安稳性，不合光谱的入射光，将得不到所期望的光电流。例如：硅光敏三极管的光谱呼应规模为0.4 ~ 1.1 mm波长的光波，若用荧光灯作光源，成果就很不抱负。 别的，在实践选用光敏三极管时，应留意按参数要求挑选管型。如要求灵敏度高，可选用达林顿型光敏三极管；如要求呼应时刻快，对温度敏感性小，就不选用光敏三极管而选用光敏二极管。勘探暗光必定要挑选暗电流小的管子，一起可考虑有基极引出线的光敏三极管，经过偏置获得适宜的作业点，进步光电流的扩大系数。例如，勘探10-3勒克斯的弱光，光敏三极管的暗电流有必要小于0.1 nA。光敏三极管的根本使用电路见图T314 ，几种国产光敏三极管的参数见表B317。
表B317 部分国产光敏三极管的参数
结语
关于大功率三极管的符号及其意义的相关介绍就到这了，如有不足之处欢迎纠正。
