什么是nmos
NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而具有这种结构的晶体管咱们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路便是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路便是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
什么是pmos
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的活动运送电流的MOS管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几许尺度和作业电压绝对值持平的状况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的作业电压。它的供电电源的电压巨细和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电进程长，加之器材跨导小，所以作业速度更低，在NMOS电路（见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路）呈现之后，大都已为NMOS电路所替代。仅仅，因PMOS电路工艺简略，价格便宜，有些中规划和小规划数字控制电路仍选用PMOS电路技能。
nmos和pmos差异
在实践项目中，咱们根本都用增强型
mos管，分为N沟道和P沟道两种。咱们常用的是NMOS，由于其导通电阻小，且简单制作。在MOS管原理图上能够看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动理性负载（如马达），这个二极管很重要。趁便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部一般是没有的。
1、导通特性
NMOS的特性，Vgs大于必定的值就会导通，适宜用于源极接地时的状况（低端驱动），只需栅极电压到达4V或10V就能够了。 PMOS的特性，Vgs小于必定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的状况（高端驱动）。可是，尽管PMOS能够很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换品种少等原因，在高端驱动中，一般仍是运用NMOS。
2.MOS开关管丢失
不管是NMOS仍是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上耗费能量，这部分耗费的能量叫做导通损耗。挑选导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时分，必定不是在瞬间完结的。MOS两头的电压有一个下降的进程，流过的电流有一个上升的进程，在这段时间内，MOS管的丢失是电压和电流的乘积，叫做开关丢失。一般开关丢失比导通丢失大得多，并且开关频率越高，丢失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，形成的丢失也就很大。缩短开关时间，能够减小每次导通时的丢失；下降开关频率，能够减小单位时间内的开关次数。这两种方法都能够减小开关丢失。
3.MOS管驱动
跟双极性晶体管比较，一般以为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于必定的值，就能够了。这个很简单做到，可是，咱们还需求速度。 在MOS管的结构中能够看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实践上便是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电瞬间能够把电容当作短路，所以瞬间电流会比较大。挑选/规划MOS管驱动时榜首要留意的是可提供瞬间短路电流的巨细。
第二留意的是，遍及用于高端驱动的NMOS，导通时需求是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个体系里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。许多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该挑选适宜的外接电容，以得到满足的短路电流去驱动MOS管。
