该文叙述了二极管正向浪涌电流测验的根本要求和规范测验办法，针对规范测验办法存在的缺乏，规划完成了选用信号操控、电容储能和大功率场效应管晶体管电流驱动的电路处理计划，简练而又高效地完成了二极管正向浪涌电流的测验。
正弦半波脉冲电流的发生
二极管的规范繁复，常见的额外通态电流从数百毫安到数百安培乃至更高，IFSM测验需求的峰值脉冲电流要求到达数十倍的额外通态电流值。规范的测验办法是选用大容量工频变压器，截取市电沟通波形来发生时间常数为10ms、导通角为0°～180°的正弦半波脉冲，如图1。
用这种办法发生几百上千安培的正弦脉冲电流，所用到的变压器体积分量都非常可观，设备与运用非常不方便。一些国外公司的产品对浪涌冲击电流波形有特殊要求，比方要求在正向整流电流的基础上再加一个时间常数为10ms或8.3ms、导通角为0°～180°的正弦半波脉冲电流，或许要求施加接连两个时间常数为10ms或8.3ms、导通角为0°～180°的正弦半波脉冲电流等。明显再选用市电截取的办法，现已很难满意不同器材的测验要求了。
规划思路
大功率场效应管晶体管是一类规范的电压操控电流器材，在VDMOS管的线性作业区内，漏极电流受栅极电压操控：IDS=GFS*VGS[2]。给栅极施加所需求的电压波形，在漏极就会输出相应的电流波形。因而，选用大功率VDMOS管合适用于完成所需的浪涌电流波形，电路办法如图2所示。
运放组成根本的反向运算电路，驱动VDMOS管的栅极，漏源电流经过VDMOS管源极取样电阻，加到运放反向输入端，与输入波形相加构成反应，运放输出电压操控VDMOS管的栅极电压VGS，从而操控漏极输出电流IDS[3]。这个IDS便是施加给待测二极管(DUT)的正向浪涌电流。
单只VDMOS管的功率和电流扩大才能是有限的，无法到达上千安培的输出电流才能，选用多只并联的办法能够处理这个问题，以到达所需求的峰值电流。常见的衔接办法如图3所示。
本测验计划选用了老练的电路操控技能，简练而有效地完成了各种浪涌冲击测验的要求。运用的都是惯例易得的元器材，组成的设备体积小分量轻，能够很方便地设备在一般仪器箱中，成为一件规范测验仪器。具有运用灵敏、易操作，测验精准度高，安全可靠等特色。
