无独有偶的事近期在存储器范畴演出。Spansion公司除宣告整合富士通半导体MCU及相关事务外，还宣告与我国大陆300mm晶圆厂XMC一起签署一项技能答应协议。据该协议，XMC将取得Spansion浮栅NOR闪存技能授权。在XMC现有300mm晶圆产能基础上，两边将进一步扩展Spansion授权的65nm、 45nm和32nm的MirrorBit闪存技能协作。而存储器另一大厂美光正式宣告整合尔必达以及旗下子公司瑞晶，在正式入主之后，不只位居DRAM商场三强之列，未来其存储器产品及产能也将做进一步调整，存储器地图将酿变。
影响几许
XMC假如在32nm工艺完成打破，将在我国大陆半导体工业发生示范作用。
收买富士通半导体MCU及相关事务之后的Spansion，显着把目光越过了存储器，而欲在MCU相关应用范畴大展宏图，但存储器仍是 Spansion立身之本。其与XMC的协作始于2008年，此次挑选XMC可谓水到渠成。Spansion首席执行官兼董事会成员John Kispert表明，XMC在出产技能、产品质量和本钱操控上具有优势，Spansion重视质量和本钱，而XMC在本钱和质量操控上都十分超卓，并且全球罕见能供给32nm工艺的代工厂。
“和XMC协作首要是根据其300mm晶圆出产线，在65nm和45nm展开技能协作。本年晚些时候，咱们还会推出32nm工艺开发的产品，这样Spansion在产品本钱上会更具竞争力。”John Kispert指出。XMC与Spansion坐落美国的工厂将一起成为支撑Spansion轻晶圆厂战略的中心。由于Spansion的产品多元化，因而其代工同伴还包含海力士、UMC等，走的是广撒网的道路。
尽管是客户与供货商之间的协作，但对业界的影响亦见微知著。“Spansion与XMC协作关于我国半导体业影响不小。”业界专家极大康剖析说，“从现在大陆代工业开展来看，尽管中芯世界已开端获利，但运营思路已然改动，现在的思路是保证获利。另一国有企业华力微开展也不太妙。在这种景象下，XMC假如在32nm工艺完成打破，将为我国大陆半导体工业发生示范作用。极大康进一步指出，从全球来看，32nm工艺不算很先进，完成这一工艺并不很困难，买好的光刻机差不多就能完成。
从协作层面来考量，iSuppli首席剖析师顾文军指出，Spansion与XMC协作或许更多仅仅简略的代工联系，而没有树立更深层次的协作。很或许Spansion对价格要求严苛，关于XMC来说能否挣钱还很难说。从制作来看，Spansion只在美国有8英寸厂，没有自己的12英寸厂，相关于其他存储器厂商的IDM形式还有距离。顾文军还指出，现在XMC也在为国内存储器厂商兆易立异做代工，假如XMC能与兆易立异树立更深的协作，比方股权协作等，成为战略协作同伴，对国内存储器业的开展将是利好。
地图生变
寡头独占格式日益显现，三星、海力士、美光、东芝等居于抢先位置，这种格式也将日趋安稳。
8月初美光正式整合尔必达以及旗下子公司瑞晶也使得存储器商场发酵。
从本年第一季DRAM商场占有率来看，原美光与尔必达商场占有率各为13.0%及13.8%，整合之后，新美光集团商场占有率与SK海力士适当，成为仅次三星、与SK海力士并排第二的存储器大厂。而从闪存方面来查询，美光商场占有率仅2.7%，远低于尔必达的18.5%以及SK海力市的 21.7%。整合之后，携美光优异的NAND Flash制程以及尔必达在闪存的位置，估计其将在相关范畴进步商场占有率。移动存储器营收将占全体20%以上，对该商场的影响力将大幅添加。
“美光吞并尔必达，全球存储器鼎足之势态势建立。”极大康说道。存储器的总产值约600亿美元，但DRAM、NAND及NOR等耗费了40%以上的总产能，因而被称为风向标。它的周期性崎岖显着，现在在DRAM商场中，三星、海力士及美光称霸。在NAND中，包含三星、东芝、美光、海力士等居抢先位置。顾文军剖析说，吞并之后，寡头独占格式日益显现，三星、海力士、美光、东芝等居于抢先位置，这种格式也将日趋安稳。
据预测，全球NAND闪存芯片商场将继续增加，从本年的236亿美元增加到2016年的308亿美元。在闪存范畴尽管Spansion市值相对较小，但其开展不断提速。第二季度财报显现，Spansion销售额达1.95亿美元，毛利率33.6%，净利率为9.5%。在曩昔3年中，其每个季度的利润率都是10%左右。John Kispert介绍说，下一季度估计还将按此份额增加。NOR仍是Spansion最大、最强的事务板块，Spansion会继续推出新品，继续增加和坚持获利。在NAND方面，Spansion也在继续加强，上一季度营收即翻番，估计下一季度营收也将翻番。John Kispert还指出，本钱是闪存商场竞争要害，因而Spansion也将致力于继续降低本钱，进步利润率，这是仅有可以继续不断对规划和研制进行投入的条件。
根据商场调研组织TrendForce查询，由于下半年PC出货仍不明亮，加上三星手机事业部开端购买SK海力士的移动存储器，SK海力士正活跃调整其产品份额，下半年估计标准型存储器比重将仅剩30%。TrendForce以为，跟着DRAM工业走入寡头独占态势，供需现已不是价格涨跌的仅有根据，DRAM厂只要在某一产品构成寡头独占乃至独占后，定能操控价格与商场，从前价格的大起大落将不复见，随同而来的是安稳的商场价格与获利，这将是未来DRAM商场的走向。
极大康指出，前段时期厂商将DRAM产能转到NAND上，现在DRAM价格上升，产能又吃紧，因而做存储器要经得住周期的亏本。跟着一次又一次的吞并，未来格式将相对安稳。
3D闪存浮出水面
存储器相对3D最简单完成，由于是把同一种芯片堆叠24层、32层就能进步容量，因而将在3D方面打先锋。
存储器尽管亦走在工艺抢先进程的前列，但跟着工艺的推动，亦面对新的应战。业界首要投入量产的闪存芯片选用的是40多年前开发的浮栅结构。跟着近来10纳米级制程工艺正式投入使用，存储单元间的距离大幅缩小，使得电子外漏导致的电子干扰现象越来越严峻。从某种程度上说，NAND闪存的微细化技能已达到了物理极限。
而借助于3D的力气，NAND闪存迎来新曙光。近期三星、东芝包含海力士都在尽力，成为业界一大趋势。三星近来推出的3D NAND闪存，选用三星首创的“3D圆柱形电荷捕获型栅极存储单元结构技能”和“3D笔直堆叠制程技能”，与选用20纳米级单层结构的高性能NAND闪存产品比较，密度进步了两倍以上，由此明显进步了出产功率。三星此次将本来单层摆放的存储单元以3D笔直堆叠方法重新摆放，不只一起完成了结构立异和制程立异，更将原有问题同时处理，使3D闪存芯片量产成为或许。这也使得3D芯片的开展进一步提速。
