稳压二极管
稳压二极管，英文名称Zener diode，又名齐纳二极管。运用pn结反向击穿状况，其电流可在很大范围内改变而电压根本不变的现象，制成的起稳压效果的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器材。在这临界击穿点上，反向电阻下降到一个很小的数值，在这个低阻区中电流添加而电压则坚持安稳，稳压二极管是依据击穿电压来分档的，由于这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件运用。稳压二极管能够串联起来以便在较高的电压上运用，经过串联就可取得更高的安稳电压。
稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和一般二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。可是，当反向电压接近反向电压的临界值时，反向电流突然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻突然降至很小值。虽然电流在很大的范围内改变，而二极管两头的电压却根本上安稳在击穿电压邻近，然后完成了二极管的稳压功用。
肖特基二极管
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是运用P型半导体与N型半导体触摸构成PN结原理制造的，而是运用金属与半导体触摸构成的金属－半导体结原理制造的。因而，SBD也称为金属－半导体（触摸）二极管或外表势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，运用二者触摸面上构成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器材。由于N型半导体中存在着很多的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中分散。明显，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的分散运动。跟着电子不断从B分散到A，B外表电子浓度逐步下降，外表电中性被损坏，于是就构成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场效果之下，A中的电子也会发生从A→B的漂移运动，然后消弱了由于分散运动而构成的电场。当建立起必定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子分散运动到达相对的平衡，便构成了肖特基势垒。
肖特基二极管和稳压二极管的差异
肖特基二极管不是运用P型半导体与N型半导体触摸构成PN结原理制造的，而是运用金属与半导体触摸构成的金属－半导体结原理制造的。因而，SBD也称为金属－半导体（触摸）二极管或外表势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正导游通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
肖特基二极管是一种大都载流子导电器材，不存在少量载流子寿数和反向恢复问题。
稳压二极管，英文名称Zener diode，又名齐纳二极管。运用pn结反向击穿状况，其电流可在很大范围内改变而电压根本不变的现象，制成的起稳压效果的二极管。［1］ 此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器材。在这临界击穿点上，反向电阻下降到一个很小的数值，在这个低阻区中电流添加而电压则坚持安稳，稳压二极管是依据击穿电压来分档的，由于这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件运用。稳压二极管能够串联起来以便在较高的电压上运用，经过串联就可取得更高的安稳电压。
稳压二极管与肖特基二极管的差异在于：
肖特基二极管正导游通电压很低，只要0.4v，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的效果。而稳压二极管正导游通电压跟一般二级管相同约为0.7v，反向状况下在临界电压之前截止，在到达临界电压的条件下会处于导通的状况，电压也不再升高，所以用在重要元器材上，起到稳压效果。
