增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS效果下无iD；耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS效果下iD。
1、结构和符号（以N沟道增强型为例）
在一块浓度较低的P型硅上分散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体外表掩盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
其他MOS管符号
2、作业原理（以N沟道增强型为例）
（1） VGS=0时，不论VDS极性怎么，其间总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。
VGS =0， ID =0
VGS有必要大于0
管子才干作业。
（2） VGS》0时，在Sio2介质中发作一个笔直于半导体外表的电场，排挤P区多子空穴而招引少子电子。当VGS到达必定值时P区外表将构成反型层把两边的N区交流，构成导电沟道。
VGS 》0→g招引电子→反型层→导电沟道
VGS↑→反型层变厚→ VDS ↑→ID↑
（3） VGS≥VT时而VDS较小时：
VDS↑→ID ↑
VT：敞开电压，在VDS作
用下开端导电时的VGS°
VT = VGS —VDS
（4） VGS》0且VDS增大到必定值后，接近漏极的沟道被夹断，构成夹断区。
VDS↑→ID 不变
3、特性曲线（以N沟道增强型为例）
场效应管的搬运特性曲线动画
4、其它类型MOS管
（1）N沟道耗尽型：制作时在栅极绝缘层中掺有很多的正离子，所以即便在VGS=0时，因为正离子的效果，两个N区之间存在导电沟道（相似结型场效应管）。
（2）P沟道增强型：VGS = 0时，ID = 0敞开电压小于零，所以只需当VGS 《 0时管子才干作业。
（3）P沟道耗尽型：制作时在栅极绝缘层中掺有很多的负离子，所以即便在VGS=0 时，因为负离子的效果，两个P区之间存在导电沟道（相似结型场效应管）。
5、场效应管的主要参数
（1） 敞开电压VT ：在VDS为一固定数值时，能发作ID所需求的最小 |VGS | 值。（增强）
（2） 夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应一细小电流时的 |VGS | 值。（耗尽）
（3） 饱满漏极电流IDSS ：在VGS = 0时，管子发作预夹断时的漏极电流。（耗尽）
（4） 极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。
（5） 低频跨导 gm ：表明VGS对iD的操控效果。
在搬运特性曲线上，gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为 S 或 mS。
（6） 最大漏极电流 IDM
（7） 最大漏极耗散功率 PDM
（8） 漏源击穿电压 V（BR）DS 栅源击穿电压 V（BR）GS
什么是MOS管，MOS管的特性：
1. MOS管作业原理–MOS管简介
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个姓名描绘了集成电路中MOS管的结构，即：在必定结构的半导体器材上，加上二氧化硅和金属，构成栅极。MOS管的source和drain是能够对调的，都是在P型backgate中构成的N型区。在大都情况下，两个区是相同的，即便两头对调也不会影响器材的功能，这样的器材被认为是对称的。
2. MOS管作业原理–Mos管的结构特色
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只需一种极性的载流子（多子）参加导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大差异，小功率MOS管是横向导电器材，功率MOSFET大都选用笔直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器材的耐压和耐电流才能。
其主要特色是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n分散区间构成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管有必要在栅极上施加正向偏压，且只需栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道发作的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道发作的n沟道MOS管。
3. MOS管作业原理–MOS管的特性
3.1MOS管的输入、输出特性
关于共源极接法的电路，源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层阻隔，所以栅极电流为0。
当VGS
3.2MOS管的导通特性
MOS管作为开关元件，同样是作业在截止或导通两种情况。因为MOS管是电压操控元件，所以主要由栅源电压uGS决议其作业情况。下面以NMOS管为例介绍其特性。
NMOS的特性，Vgs大于必定的值就会导通，合适用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压到达4V或10V就能够了。
PMOS的特性，Vgs小于必定的值就会导通，合适用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。可是，尽管PMOS能够很方便地用作高端驱动，但因为导通电阻大，价格贵，替换品种少等原因，在高端驱动中，一般仍是运用NMOS。
4. MOS管作业原理
MOS管的作业原理（以N沟道增强型MOS场效应管）它是使用VGS来操控“感应电荷”的多少，以改动由这些“感应电荷”构成的导电沟道的情况，然后到达操控漏极电流的意图。在制作管子时，经过工艺使绝缘层中呈现很多正离子，故在接壤面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，构成了导电沟道，即便在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改动时，沟道内被感应的电荷量也改动，导电沟道的宽窄也随之而变，因此漏极电流ID跟着栅极电压的改变而改变。
常识延伸
MOS管的分类
按沟道资料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方法：MOS管又分耗尽型与增强型，所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
MOS管使用
MOS管最明显的特性是开关特性好，所以被广泛使用在需求电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。并且由MOS管构成的CMOS传感器为相机供给了越来越高的画质，成果了更多的“摄影家”
