TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或许功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。该产品的最大推迟时刻为200 ns，光电耦合器之间的传输推迟时刻差(PDD*) 为90 ns(上述推迟时刻均为工作温度範围内的确保值), 可以削减阻滞时刻，进步变频电路的功率。该产品採用的是运用寿命十分长的新式LED，因而其工作温度範围较大，在-40°C到125°C之间。该产品适用于许多设备，包含极点热环境下运用的工业设备、家用光电动力系统、数位家用电器、丈量设备和操控设备。
*: PDD是传输推迟时刻差的缩写。
特徵
传输推迟时刻: tpLH,tpHL=200ns (最大)
耦合器之间的传输推迟时刻差(PDD) = ±90ns (最大)
工作温度範围大: Topr = −40°C到125°C
峰值输出电流: IOP = ±2.5A (最大)
低输入电流: IFHL = 5mA (最大)
耐压: BVs = 3750Vrms (最小)
使用
沟通伺服放大器
功率调节器
通用变频器
IH(感应加热)
概括图
*: 供给可选表贴式引脚类型。
电路实例
