FAN3XXX系列是飞兆公司（FAIRCHILD）2007年10月推出的新产品，是一种高速低端MOSFET驱动器系列。该系列各种驱动器与PWM操控器及功率MOSFET组合可规划出各种高频、大功率开关电源。依据驱动器的通道数、输出电流巨细，有不同的封装及类型，可满意各种开关电源的巨细结构及不同输出功率的需求，如表1所示。
表1 FAN3XXX类型列表
主要特色
FAN3XXX系列主要特色：
1 速度高
FAN3XXX在2.2nF负载时，输入90%到输出10%的时刻小于35nS。在传达推迟上比许多竞争者要快。
2、 两通道间严密匹配
FAN3224在4.7nF负载时，在两通道间的不同丈量值小于0.5nS（典型值）。两通道并联时有极好的功能。
3、 输入结构
FAN3XXX系列有单输入驱动器及双输入驱动器，运用非常灵敏。单输入结构如图1所示。例如FAN322X双驱动器，每一通道都有使能端（EN），另一输入端输入反相或同相逻辑。
图1 单输入结构
双输入结构如图2所示。同相作业时将IN-端接L，运用IN+输入；反相作业时将IN+接H，运用IN-输入。其真值表如表2所示。
图2 双输入结构
FAN3100用作同相驱动器时接法如图3所示，其输入及输出波形如图4所示。从图中可看出：在VDD低于欠压锁存（UVL0）阈值时，无输出，只要VDD大于欠压锁存阈值电压时才有输出。
图3 FAN3100做同相驱动器的接法
图4 FAN3100做同相驱动器的输入/输出波形
FAN3100用作反相驱动器时接法如图5所示，其输入及输出波形如图6所示。
4、 CMOS或TTL逻辑电压兼容
FAN3XXX系列的各类型的输入信号是CMOS或TTL逻辑电压兼容，使规划更简略。在TTL电压输入时，其高电压≥2.0V；低电压≤0.8V。CMOS输入阈值与VDD有关，高电压≈0.6VDD；低电压≈0.4VDD。
5 、封装尺度小
在业界中FAN3XXX系列封装尺度是最小的。2A驱动器选用2mm×2mm的MLP-6封装；4A驱动器选用3mm×3mm的MLP-8封装。别的，它也有SOLC及SOT规范封装。各种封装的尺度如图7所示。
图7 FAN3XXX的封装
6、 作业电压规模宽，其VDD极限值为20V。
典型运用电路
FAN3XXX系列MOSFET驱动器与PWM操控器及功率MOSFET能够组成各种不同结构的开关电源。图8是一种选用2个FAN3100 MOSFET驱动器（IC1、IC2）及3个功率MOSFET（Q1～Q3）组成的阻隔式DC/DC转化器电路（图中未画出PWM操控器，仅画出PWM操控器输出的PWM信号）。
在图8中，IC1的IN-接地组成同相驱动电路，输出的PWM信号经驱动器后驱动开关器Q1，Q1的负载是高频变压器T1的原边线圈，高频变压器副边得电。PWM操控器输出的PWM信号一起输入到高频变压器T2，经T2阻隔后的PWM信号加到IC2的IN-端（IC2的IN+接地，组成反相驱动器），驱动器IC2的输出去操控变压器副边的MOSFET Q3（Q3作同步整流器）。
在T1副边上+下-时，Q2导通、Q3截止，电压经电感L1、COUT及负载供电，经Q2构成回路。在T1副边上-下+时，Q2截止，IC2输出的高电压使Q3导通。L1贮存的能量向负载开释，经Q3构成回路，其作业状况如图9所示。这种同步整流的结构具有较高的转化功率。
图8仅画出驱动开关器Q1及驱动同步整流器Q3的部分电路。要输出电压安稳还需求将输出电压经光电耦合器阻隔反应到PWM操控器，改动输出脉冲宽度来调理输出电压，这部分电路未在图8中画出。
驱动器电流参数的挑选
FAN3XXX系列低端MOSFET驱动器IC运用较便利、电路简略，在开关电源设计时主要是挑选其电流参数。这儿先介绍一下为什么MOSFET在作业时需求这样大的电流？
MOSFET是一种栅极电压操控漏极电流的器材，在低端MOSFET中以地为基准，其漏极电流ID由栅极电压VG巨细来决议（或VGS巨细来决议）。VGS越大，则ID越大，如图10C所示。这如同与电流没有关系。但在栅极电压树立的过程中，因为在栅极与源极之间存在极间电容CGS（如图10a所示），驱动器需求供给电流向CGS充电，充电电流为IGS（如图10b所示）。当要求MOSFET导通时刻很快，则要求充电电流很大。相同，在MOSFET要求很快关断时，CGS上的电荷要很快经过驱动器放掉，也会构成很大的放电电流。CGS的容量越大、要求MOSFET的开关速度越高，则在导通及关断过程中的充、放电流越大，这种充放电电流可达几A。
在功率MOSFET选定后，在数据资料（data sheet）中可找到总的栅极电荷QG值，按QG=CGS×VDD，求出CGS值。为满意电源的高频开关要求，尽可能挑选QG小的MOSFET，不仅可满意高频开关要求，而且使驱动器功耗也较小。CGS值与MOSFET的输出漏极电流ID巨细及其耐压巨细有关，一般为几十nC到一百多nC。
表3给出各种不同QG条件时，在不同驱动器电流时的开关时刻。规划者可参照表3挑选电流参数。
在开关电源规划时，最大的开关频率是确认的，则开关时刻也确认。其次依据选定的开关器，确认其QG，则使用表3可确认需求多大电流的驱动器。
驱动器的电流参数也可用近似的核算方法来核算，其核算公式如下：
开关导通时（输出源电流），IDVR，SRC≥1.5（QG/tsw-on） （1）
开关关断时（输入沉电流），IDVR，SNK≥1.5（QG/tsw-off） （2）
式中，IDVR，SRC及IDVR，SNK是驱动器输出源电流或输入沉电流的电流中心值；QG是MOSFET的总栅极电荷（可从MOSFET资猜中查到），1.5是试验测定的系数。
驱动器的功耗PDRIVE
驱动器的总功耗为每个驱动器功耗之和，每通道的功耗为：
PDRIVE=VDD×QG×fsw （3）
式中，VDD为驱动器的作业电压，QG为MOSFET的总栅极电荷，fSW为开关频率。
按上式核算出的功耗应小于该驱动器最大答应的功耗。
