宽禁带半导体特别是GaN和SiC这两年成为整个功率器材资料重视的焦点，因为GaN具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱满速率及更高的抗辐射才能，因而更适合于制造高温、高频、抗辐射及大功率器材。跟着技能的不断老练和本钱逐步下探，越来越多的厂商将这两种技能运用到更宽广的领域中。
近来，分立器材、MOSFET器材、模仿和逻辑IC的低本钱、高产能出产专家安世半导体宣告推出新一代H2技能的全新650V GaN（氮化镓）FET，依托多种自有出产工艺，完成了比之前技能芯片尺度的缩小以及动态功能的大幅进步。其运用规模瞄准了电动轿车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器; 1.5~5kW钛金级工业电源，用于机架安装的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。
针对这些大幅进步的功能，安世半导体MOS事务集团大中华区总监李东岳详细解析了安世半导体的GaN FET蓝图以及新一代GaN FET的特性。安世半导体从2019年进入高压宽带隙半导体商场，推出根据H1氮化镓技能的650 V 50 mΩ GaN063-650WSA的GaN FET，选用契合职业规范的TO-247封装。李东岳H1系列选用级联结构(cascode) 的氮化镓技能，能够助力工程师简化运用规划且无需杂乱的驱动和操控。
为了习惯商场对小型化和更高能效的需求，安世半导体本年推出了根据H2氮化镓技能的新产品，选用立异的贯穿外延层过孔，削减缺点和进步成品率；芯片尺度缩小24%, 供给商场抢先的导通电阻。新产品除了持续运用 级联结构(cascode)以完成驱动简略的兼容规范传统硅MOSFET驱动器外，新技能的运用供给了更高的开关稳定性并使得动态特性进步了15%。
除了在GaN资料技能方面获得打破之外，根据H2 GaN技能的产品还选用了安世20年经历的车规级铜夹片专业技能，作为铜夹片外表贴装技能的立异者，安世能够完成职业抢先的功能，然后为轿车职业供给高产量、高质量铜夹片氮化镓产品。选用铜夹片方法，能够将寄生电感减小三倍，然后完成更低的开关损耗和电磁搅扰。一起相对于引线(wire-bond)技能，有着更高的可靠性。详细的散热目标为Rth(j-mb)<0.5K/W，选用灵敏的海鸥引脚能够供给高板级可靠性，而且兼容SMD焊接和AOI。因为安世半导体具有自己的独立出产线和前道与后道的工艺，因而一切的GaN产品都将由安世的工厂出产，因而能够确保产品的质量和供货。
李东岳介绍安世此次根据H2 GaN的产品供给两种封装方法三种产品，供给传统的TO-247封装的650V MOSFET，芯片尺度更小且衬底无垫片的封装，完成了41 mΩ的导通电阻，比较前一系列降低了18%。选用职业抢先的外表贴装技能的CCPAK铜夹片封装则能够完成顶部或底部散热，而且导通电阻仅为39 mΩ，更多的将面向轿车商场运用。李东岳特别指出，2021年安世半导体将推出契合轿车AEC-Q101规范的新一代GaN产品，完成175度结温，更好的满意高温高湿以及高振荡环境及高功率密度高功率的商场需求。
谈到H2 GaN技能产品的运用，李东岳以为工业是最早运用的商场，经过供给更高功率助力工业运用，要点是在服务器、通讯电源等商业设备上的同步整流器，经过供给高端电源所需的高功率和高功率密度协助其满意80+的钛金牌电源单元认证要求。另一个是电池储能以及不间断电源，能够大幅进步功率及添加体系的功率密度，并减小输出滤波器尺度。此外伺服驱动器方面，能够供给输出电流波形改进，供给更低的电机损耗和噪音。
在工业商场之外，安世还瞄准了车规商场。作为轿车别离器材的领导者，安世半导体具有彻底自己出产的契合AEQ-101车规规范的产品系列。此次推出的H2 GaN技能产品在车载中的运用要点瞄准了GAN039 产品最适合的两种电动轿车运用 – 车载充电机(OBC) 和 直流-直流(DC-DC) 转换器。当然，李东岳表明安世并不满意这两个运用，将开宣布满意车厂要求的各类功率产品。比方安世会开发更高电压和更高功能的产品，比方900V乃至1200V的GaN FET，特别是像GaN牵引逆变器运用。比较于SiC产品，硅基GaN相同能够进步到1200V，而且工艺更简单完成，产能更大，本钱更具优势。
