闪存是当今数据存储的重要介质之一，干流的闪存系统有NAND和NOR两种。不过跟着半导体工艺不断发展，比较于NAND技能的快速演进，NOR技能好像在几年前工艺就迟滞不前，由于存在部分规划缺点而让NOR闪存无法持续跟进先进工艺成为了阻止NOR闪存大规划使用的要害。经过中天弘宇集成电路有限公司的悉心研制，NOR闪存的使用或许将重获重生。
“咱们经过了近十年的研制堆集，完成了对原有NOR闪存架构的斗胆立异，也能够说是一个彻底的推翻。咱们沿用了整个NOR的架构，但和英特尔最早创造的NOR彻底不是一回事，咱们有自己完好的知识产权和专利系统。” 中天弘宇集成电路有限公司履行董事长赵泾生先生的开场白显得十分骄傲，“咱们对NOR闪存架构规划进行了全新的改善，然后克服了固有的规划缺点，这点连Intel都十分震动，经过咱们的架构规划彻底能够让NOR闪存进入到65nm乃至28nm以下的工艺。”
比较于更合适大容量使用的NAND闪存，NOR闪存的读取速度要快得多，十分合适芯片内的存储使用，但限于工艺制程，NOR闪存的使用商场比起千亿级的NAND闪存要小得多，许多芯片内还在选用DRAM+NAND的方法替代。中天弘宇的技能打破将让NOR闪存变得更具竞赛力，经过替代DRAM+NAND的方法可认为芯片带来更高读取速度和更低的内存读取功耗，而后者现在已经成为芯片全体功耗中十分要害的一环。难怪赵泾生先生感叹，“经过处理了寿数和工艺两大问题，摆在咱们面前的将是千亿美元规划的未来的NOR商场！”
如此具有打破含义的技能立异将会带来哪些产品的立异? 赵泾生先生介绍中天弘宇现在首要的作业有两个方面，一个是持续优化NOR内存的规划，并经过和代工厂的协作进行试生产，然后提供给部分客户制品的NOR闪存进行测验和规划选用，未来期望能够广泛使用到客户的规划中。另一方面，为了给更多对此产品持有置疑情绪的客户展现NOR产品的强壮功能，中天弘宇研制了一款ARM架构的MCU，其中心特色便是经过选用自己的NOR闪存能够把电压从1.65V降到1V，然后大幅下降MCU的功耗，完成功能的全新打破。
光有产品并不是中天弘宇集成电路有限公司的悉数方案，他们未来还方案推出各种专利授权的形式和各种不同的客户协作。，赵泾生先生表明，“咱们将采纳多种协作方法推行NOR闪存技能，不只推出各种产品，并且还能够对客户进行专利授权和共同开发等方法，让更多客户经过介入规划环节进行产品的定制化立异，带来更多的竞赛优势”。
赵泾生先生在论坛上还透露了中天弘宇的爱国情怀，“咱们我国公司霸占了NOR闪存的技能缺点并把握了中心技能专利，咱们也期望将NOR闪存的生产工艺专利留在我国，因而咱们挑选的是中芯世界和华虹宏力两家代工厂进行工艺开发协作。经过和上下游协作伙伴一同进行制作和工艺攻关，迈出我国闪存更大的一步，提高我国芯片自主化水平。”
咱们真的能够骄傲的说，中天弘宇的打破立异让未来的NOR闪存的工业主导权将全面把握在我国企业手中，到时我国的IC规划工业将会比国外竞赛对手抢占更高的NOR闪存规划先机。
