光耦规划在电路中的首要效果，是对光能与电能进行阻隔，然后到达防止搅扰维护电路运转状况额意图。可是在对光耦电路进行规划之前，首要需求了解一些根底的且较为重要的知识点，否则在规划过程中就有或许形成不必要的过错，达不到维护电路的意图。
光电耦合器的优势众所周知，其体积小、寿命长、无触点，抗搅扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号体现优异，在数字电路上也有广泛的运用。而在光耦电路规划中，有两个参数常常被人忽视，需求分外留意。
反向电压
反向电压Vr，是指原边发光二极管所能接受的最大反向电压，超越此反向电压，或许会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只要5V左右，在存在反压或振动的条件下运用时，要特别留意不要超越反向电压。如，在运用沟通脉冲驱动LED时，需求添加维护电路。
电流传输比
别的一个参数是光耦的电流传输比，是指在直流作业条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR相似于三极管的电流扩大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数一起决议了光耦作业在扩大状况仍是开关状况，其计算办法与三极管作业状况计算办法相似。若输入电流、输出电流、电流传输比规划调配不合理，或许导致电路不能作业在料想的作业状况。
除上述两个参数外，光耦还有几个参数是比较重要的，如：
正向作业电压Vf
Vf是指在给定的作业电流下，LED自身的压降。常见的小功率LED一般以If=10mA来测验正向作业电压，当然不同的LED，测验条件和测验成果也会不一样。
集电极电流Ic
光敏三极管集电极所流过的电流，一般表明其最大值。
C-E饱满电压Vce
即光敏三极管的集电极-发射极饱满压降。
上升时间Tr与下降时间Tf
其界说与典型测验办法如图2所示，它们反映了作业在开关状况的光耦，其开关速度状况。
以上6个参数是在光耦电路中较为重要，但也是经常被规划者们所疏忽的要害点。在触摸光耦规划之前对这几个参数进行必定程度上的了解，可以最大程度的防止光耦电路规划过错状况的产生。与此同时，在光耦电路产生过错的时分也可先从这些参数下手，看看是否是要害参数出了问题。
