晶圆出产的方针
芯片的制作分为质料制作、单晶成长和晶圆的制作、集成电路晶圆的出产和集成电路的封装阶段。本节首要解说集成电路封装阶段的部分。
集成电路晶圆出产是在晶圆外表上和外表内制作出半导体器材的一系列出产进程。整个制作进程从硅单晶抛光片开端，到晶圆上包括了数以百计的集成电路戏芯片。
下面，为了更好的了解芯片的结构，小编将为我们介绍一些根本的晶圆术语。
晶圆术语
1. 芯片、器材、电路、微芯片或条码：一切这些名词指的是在晶圆外表占大部分面积的微芯片图形。
2. 划片线或街区：这些区域是在晶圆上用来分隔不同芯片之间的距离区。划片线通常是空白的，但有些公司在距离区内放置对准符号，或测验的结构。
3. 工程实验芯片和测验芯片：这些芯片与正式器材芯片或电路芯片不同。它包括特别的器材和电路模块用于对晶圆出产工艺的电性测验。
4. 边际芯片：在晶圆的边际上的一些掩模残缺不全的芯片而发生的面积损耗。因为单个芯片尺度增大而构成的更多边际糟蹋会由选用更大直径晶圆所补偿。推进半导体工业向更大直径晶圆开展的动力之一便是为了削减边际芯片所占的面积。
5. 晶圆的晶面：图中的剖面标明了器材下面的晶格结构。此图中显现的器材边际与晶格结构的方向是确认的。
6. 晶圆定位边/凹槽：例如图示的晶圆有主定位边和副定位边。300mm和450mm直径的晶圆都是用凹槽作为晶格导向的标识。这些定位边和凹槽在一些晶圆出产工艺中还辅佐晶圆的套准。
芯片术语
下图是一个中规划(MSI)/双极型集成电路的显微相片。之所以挑选这个集成等级，是为了相片上能显现出电路的详细图形。关于更高集成度的电路，它的元件十分小，以至于在整个芯片的显微相片上无法辨认。
图中芯片的特性有：
1. 双极型晶体管
2. 电路的特定编号
3. 为衔接芯片与管壳而备的压焊点
4. 压焊点上的一小块污染物
5. 金属外表导线
6. 划片线(芯片间的分割线)
7. 独立未衔接的元件
8. 掩模版对准符号
9. 电阻
晶圆出产的根底工艺
在许多混合和集成电路规划。集成电路是依据一个少量晶体管结构和制作工艺。相似于车工业，这个工业出产的产品规模很广，从轿车到推土机。但是，金属成型、焊接、油漆等工艺对汽车厂都是通用的。在汽车厂内部，这些根本的工艺以不同的方法被运用，以制作出客户期望的产品。
相同，芯片制作也是相同的。依此进行4个根本操作，以发生特定的芯片。这些操作是薄膜、图形化、掺杂和热处理。下图是一个硅栅晶体管的横截面。它阐明了怎么运用这些根本的操作并依此制作一个实践的半导体器材。
薄膜工艺
薄膜工艺是在晶圆外表构成薄膜的加工工艺。
各种技能用于二氧化硅层成长和各种资料的堆积。
通用的淀积技能是物理气相淀积、化学气相淀积、蒸腾和溅射、分子束、外延成长、分子束外延和原子层淀积。运用电镀在高密度集成电路上淀积金属化层。
图形化工艺
图形化工艺是经过一系列出产进程将晶圆外表薄膜的特定部分除掉工艺。从此之后，晶圆外表会留下带有微图形结构的薄膜。被除掉部分的或许形状是薄膜内的空或是残留的岛状部分。
图形化工艺也被未我们熟知的广掩模、掩模、光刻或微光刻。在晶圆制作进程中，晶体三极管、二极管、%&&&&&%器和金属层的各种物理部件在晶圆外表或表层内构成。
这些部件是每次在一个掩模版上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，经过图形化工艺进程，终究在晶圆上保存特征图形的部分。光刻出产的方针是依据电路规划的要求，生成尺度准确的特征图形，且在晶圆外表的方位要正确，并且与其他层的相关也要正确。
图形化工艺是一切四个根本工艺中最要害的。图形化工艺确认了器材的要害尺度。图形化工艺进程中的过错或许构成图形曲解或套准欠好，终究可转化为对器材的电特性发生影响。
图形的错位也会导致相似的不良成果。图形化工艺中的另一个问题是缺点。图形化工艺是高科技版别的照相术，只不过是在难以置信的细小尺度小完结的。在制程中的污染物会构成缺点。事实上因为图形化工艺在现代晶圆出产进程中要完结30层或更多，所以污染问题将会扩大。
叙述了这么多，这些进程仅仅展现了%&&&&&%的出产加工技能，至于怎么规划，小编将在下回为我们介绍。
