一、LED前史
50年前人们现已了解半导体资料可发生光线的根本知识，1962年，通用电气公司的尼克•何伦亚克（NickHolonyakJr.）开宣布第一种实践使用的可见光发光二极管。LED是英文light emitTIng diode（发光二极管）的缩写，它的根本结构是一块电致发光的半导体资料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到维护内部芯线的效果，所以LED的抗震性能好。
开始LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛使用，发生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的赤色交通信号灯为例，在美国本来是选用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它发生2000流明的白光。经赤色滤光片后，光丢失90%，只剩下200流明的红光。而在新规划的灯中，Lumileds公司选用了18个赤色LED光源，包含电路丢失在内，共耗电14瓦，即可发生相同的光效。 轿车信号灯也是LED光源使用的重要范畴。
二、LED芯片原理
LED（Light EmitTIng Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器材，它能够直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端衔接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里边空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体衔接起来的时分，它们之间就构成一个“P-N结”。当电流通过导线效果于这个晶片的时分，电子就会被面向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的方式宣布能量，这便是LED发光的原理。而光的波长也便是光的色彩，是由构成P-N结的资料决议的。
三、LED芯片的分类
1.MB芯片界说与特色
界说：Metal Bonding（金属粘着）芯片；该芯片归于UEC的专利产品。
特色：
（1）选用高散热系数的资料—Si作为衬底，散热简单。
Thermal ConducTIvity
GaAs： 46W/m-K
GaP： 77W/m-K
Si： 125～150W/m-K
Cupper:300~400W/m-k
SiC： 490W/m-K
（2）通过金属层来接合（wafer bonding）磊晶层和衬底，一起反射光子，防止衬底的吸收。
（3）导电的Si衬底替代GaAs衬底，具有杰出的热传导才能（导热系数相差3~4倍），更适应于高驱动电流范畴。
（4）底部金属反射层，有利于光度的提高及散热。
（5）尺度可加大，使用于High power范畴，eg:42mil MB。
2.GB芯片界说和特色
界说：Glue Bonding（粘着结合）芯片；该芯片归于UEC的专利产品。
特色：
（1）通明的蓝宝石衬底替代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS（Absorbable structure）芯片的2倍以上，蓝宝石衬底相似TS芯片的GaP衬底。
（2）芯片四面发光，具有超卓的Pattern图。
（3）亮度方面，其全体亮度已超越TS芯片的水平（8.6mil）。
（4）双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。
3.TS芯片界说和特色
界说：transparent structure（通明衬底）芯片，该芯片归于HP的专利产品。
特色：
（1）芯片工艺制造杂乱，远高于AS LED。
（2）信任性杰出。
（3）通明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。
（4）使用广泛。
4.AS芯片界说与特色
界说：Absorbable structure （吸收衬底）芯片；通过近四十年的开展尽力，台湾LED光电业界关于该类型芯片的研制、出产、出售处于老练的阶段，各大公司在此方面的研制水平根本处于同一水平，距离不大。
大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及牢靠度与台湾业界还有必定的距离，在这里咱们所谈的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg： 712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。
特色：
（1）四元芯片，选用MOVPE工艺制备，亮度相关于惯例芯片要亮。
（2）信任性优秀。
（3）使用广泛。
四、LED芯片资料磊晶品种
1.LPE：Liquid Phase Epitaxy（液相磊晶法） GaP/GaP
2.VPE：Vapor Phase Epitaxy（气相磊晶法） GaAsP/GaAs
3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy （有机金属气相磊晶法） AlGaInP、GaN
4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure（单异型结构）GaAlAs/GaAs
5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure（双异型结构） GaAlAs/GaAs
6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure（双异型结构） GaAlAs/GaAlAs
五、LED芯片组成及发光
LED晶片的组成：主要有砷（AS）铝（AL）镓（Ga）铟（IN）磷（P）氮（N）锶（Ｓi）这几种元素中的若干种组成。
LED晶片的分类：
1、按发光亮度分：
A、一般亮度：R、H、G、Y、E等
B、高亮度：VG、VY、SR等
C、超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE等
D、不可见光（红外线）：R、SIR、VIR、HIR
E、红外线接收管：PT
F、光电管：PD
2、按组成元素分：
A、二元晶片（磷、镓）：H、G等
B、三元晶片（磷、镓、砷）：SR、HR、UR等
C、四元晶片（磷、铝、镓、铟）：SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG
3.LED晶片特性表：
LED晶片类型发光色彩组成元素波长（nm）
SBI蓝色lnGaN/sic 430 HY超亮黄色AlGalnP 595
SBK较亮蓝色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP 610
DBK较亮蓝色GaunN/Gan 470 HE超亮桔色AlGalnP 620
SGL青绿色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620
DGL较亮青绿色LnGaN/GaN 505 URF最亮赤色AlGalnP 630
DGM较亮青绿色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635
PG纯绿GaP 555 R赤色GAaAsP 655
SG规范绿GaP 560 SR较亮赤色GaA/AS 660
G绿色GaP 565 HR超亮赤色GaAlAs 660
VG较亮绿色GaP 565 UR最亮赤色GaAlAs 660
UG最亮绿色AIGalnP 574 H高红GaP 697
Y黄色GaAsP/GaP585 HIR红外线GaAlAs 850
VY较亮黄色GaAsP/GaP 585 SIR红外线GaAlAs 880
UYS最亮黄色AlGalnP 587 VIR红外线GaAlAs 940
UY最亮黄色AlGalnP 595 IR红外线GaAs 940
