什么是DRAM?
DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的体系内存。DRAM 只能将数据坚持很短的时刻。为了坚持数据，DRAM运用电容存储，所以有必要隔一段时刻改写(refresh)一次，假如存储单元没有被改写，存储的信息就会丢掉。 (关机就会丢掉数据)
作业原理
动态RAM的作业原理 动态RAM也是由许多根本存储元依照行和列地址引脚复用来组成的。
DRAM数据线
3管动态RAM的根本存储电路如图所示。在这个电路中，读挑选线和写挑选线是分隔的，读数据线和写数据线也是分隔的。
写操作时，写挑选线为“1”，所以Q1导通，要写入的数据经过Q1送到Q2的栅极，并经过栅极电容在必定时刻内坚持信息。
读操作时，先经过共用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读挑选线为高电平有用时，Q3处于可导通的状况。若本来存有“1”，则Q2导通，读数据线的分布%&&&&&%CD经过Q3、Q2放电，此刻读得的信息为“0”，正好和原存信息相反;若原存信息为“0”，则Q3尽管具有导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压坚持不变，因而，读得的信息为“1”。可见，对这样的存储电路，读得的信息和本来存入的信息正好相反，所以要经过读出放大器进行反相再送往数据总线。
什么是NAND?
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超越4GB的低容量使用中体现得犹为显着。跟着人们继续寻求功耗更低、分量更轻和功能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技能，即断电后仍能保存数据。它的开展方针便是下降每比特存储本钱、进步存储容量。
作业原理
闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的长处。
EPROM是指其间的内容能够经过特别手法擦去，然后从头写入。其根本单元电路如下图所示。常选用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，经过欧姆触摸别离引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表明存1或许0，浮空栅极带电后(例如负电荷)，就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表明存入0.若浮空栅极不带电，则不能构成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
EPROM根本单元结构
EEPROM根本存储单元电路的作业原理如图所示。与EPROM相似，它是在EPROM根本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为榜首级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，榜首浮空栅极与漏极之间发生地道效应，使电子注入榜首浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使榜首浮空栅极的电子流失，即擦除。擦除后可从头写入。
EEPROM单元结构
闪存的根本单元电路与EEPROM相似，也是由双层浮空栅MOS管组成。可是榜首层栅介质很薄，作为地道氧化层。写入办法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入榜首级浮空栅。读出办法与EPROM相同。擦除办法是在源极加正电压使用榜首级浮空栅与漏极之间的地道效应，将注入到浮空栅的负电荷吸引到源极。因为使用源极加正电压擦除，因而各单元的源极联在一同，这样，擦除不能按字节擦除，而是全片或许分块擦除。跟着半导体技能的改善，闪存也完成了单晶体管规划，首要便是在原有的晶体管上参加浮空栅和挑选栅，
NAND闪存单元结构
NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器材中最小的可擦除实体。擦除一个区块便是把一切的位(bit)设置为“1”(而一切字节(byte)设置为FFh)。有必要经过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节(byte)。一些NOR闪存能一起履行读写操作。尽管NAND不能一起履行读写操作，它能够选用称为“映射(shadowing)”的办法，在体系级完成这一点。这种办法在个人电脑上现已沿袭多年，行将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较高的RAM上。
