在各种电子技能快速开展和电子商场高速扩展的今日，存储器的需求量迅猛增加。在很多存储器类型中，NOR型闪存因为具有随机读写速度快，牢靠功用高级长处，被广泛的运用于各种电子设备，如移动产品，轿车电子等。从1988年开展至今，NOR型闪存技能紧跟商场开展需求也在不断地前进更新，不只容量日益增大，牢靠功用越来越高，随机读写速度也越来越快。跟着各种电子设备的体系功用复杂化，对存储器进行频频读写成了最根本的操作，读写速度在实践运用中成为衡量NOR型闪存越来越重要的功用指标。
随机读取，擦除（使存储内容从０变１），和写入（使存储内容从１变０）是对闪存的三种根本操作。任何闪存器材的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先履行擦除。跟着工艺和电路规划上的进步，NOR型闪存的随机读取速度根本在百ns以内（如Numonyx的首要产品系列均在110ns以内），而同步读取速度最高可达333MHz（如Numonyx某具有LPDDR接口的NOR型闪存）；对NOR型闪存进行擦除一般是以64K”128KB的块为全体进行的，一般履行一个擦除操作的时刻约为0.2″4s；对NOR型闪存的写入能够依照缓冲区巨细，双字节乃至比特操作，其间按比特写入可使任一比特由1变成0，NOR的写入速度除了与产品工艺和规划有关外，还与写入缓冲区容量有着密切联系。现在，商场上的闪存产品首要都选用不高于64字节的写入缓冲区容量，例如常见的S29GL和SSF29产品系列等。64字节的写入缓冲区容量意味着一次写入操作最大能写入的地址空间规模为64字节。在实践运用中，工程师总是期望存储器具有较快的写入速度，但往往简单疏忽缓冲区巨细和写入速度的联系。 最近，Numonyx公司开发推出了依据65nm技能，最高可达1024字节写入缓冲区容量的NOR型M29EW闪存。本文对此产品的写入缓冲区巨细与写速度的联系进行了详细剖析。引荐工程师在实践运用中，能够经过挑选适宜的尽或许大的写入缓冲区巨细，最大或许的优化擦写速度。
进步百倍的均匀每字节写入速度
Numonyx公司的M29EW闪存，有两种写入方法。一种是字写入方法（Word program），每次可对单个或许两个字节进行写入。另一种是缓存写入方法（Buffer program），依据挑选的写入缓冲区巨细，每次可对1″1024个字节进行写入。字写入方法具有较高的灵活性，能够对恣意单个地址空间进行写入操作，但写入时刻较长，在需求对接连地址空间进行写入时，写入功率较低。缓存写入方法，不光相同具有单字节或双字节写入才能，最多还能够一次性写入接连的1024字节的地址空间。本文选取了M29EW系列中的128MB产品，要点对缓存写入方法进行剖析。运用不同的写入缓冲区巨细对接连地址空间进行写入，发现，选用大的写入缓冲区单次写入时刻较长。在-40C的环境温度下，用2字节写入缓冲区巨细写入2字节的接连地址空间大约需求200us，在相同测验条件，用1024字节的写入缓冲区对1024字节接连地址空间进行写入大约需求近700us。可是选用大的写入缓冲区一次写入操作能够对更多的地址空间进行操作。这样均匀到每字节所需的均匀写入时刻，反而是选用大的写入缓冲区时刻短，如图1所示。图1中的两条线别离表明-40C和85C的运用环境温度，横坐标表明选用的写入缓冲区巨细，纵坐标是均匀每字节的写入时刻，为便利成果比较，纵坐标选用了对数坐标。由图可得，相同在-40C的环境温度下，用2字节的写入缓冲区巨细每字节的均匀写入时刻大约是100us，而选用64字节的写入缓冲区巨细，均匀每字节的写入时刻就削减到10us以下，假如选用1024字节的写入缓冲区巨细，均匀每字节所需的写入时刻现已低于1us！需求阐明的是，所要写入的数据不同也会对写入时刻形成较大的影响，为便利比较，本文对各种写入操作选用相同的写入内容，这儿测验的成果要点也放在选用不同缓冲区巨细的速度相对值的比较上，而不是绝对值。
图1. 选用不同写入缓冲区巨细写入与均匀每字节写入时刻的联系
因为选用大的写入缓冲区能够进步单字节的写入速度，因而当工程师进行大块字节的擦写操作时，选用尽或许大的写入缓冲区能够最大的进步擦写功率。例如，当需求对一块接连128KB的地址空间进行擦写操作时，可挑选选用不同的写入缓冲区巨细进行写入，图2给出了写入缓冲区巨细与完结操作的写入时刻的联系。不难看出，与图1相同，选用1024字节写入缓冲区巨细所需时刻最短，比较2字节的写入缓冲区巨细，速度进步百倍以上。
