STM32F103ZET6自带了64K字节的SRAM，对一般运用来说，现已足够了，不过在一些对内存要求高的场合，STM32自带的这些内存就不够用了。比方跑算法或许跑GUI等，就可能不太够用
IS62WV51216简介
IS62WV51216是ISSI（IntegratedSiliconSolution,Inc）公司出产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存芯片。该芯片具有如下几个特色：
l高速。具有45ns/55ns拜访速度。
l低功耗。
lTTL电平兼容。
l全静态操作。不需求刷新和时钟电路。
l三态输出。
l字节操控功用。支撑高/低字节操控。
看看完成IS62WV51216的拜访，需求对FSMC进行哪些装备。这儿就做一个概括性的解说。过程如下：
1）使能FSMC时钟，并装备FSMC相关的IO及其时钟使能。
要运用FSMC，当然首先得敞开其时钟。然后需求把FSMC_D0~15，FSMCA0~18等相关IO口，悉数装备为复用输出，并使能各IO组的时钟。
使能FSMC时钟的办法：
RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
关于其他IO口设置的办法前面解说很具体，这儿不做过多的解说。
2）设置FSMCBANK1区域3。
此部分包含设置区域3的存储器的作业形式、位宽和读写时序等。咱们运用形式A、16位宽，读写共用一个时序寄存器。运用的函数是：
voidFSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef*FSMC_NORSRAMInitStruct)
3）使能BANK1区域3。
使能BANK的办法跟前面LCD试验也是相同的，这儿也不做具体解说，函数是：
voidFSMC_NORSRAMCmd(uint32_tFSMC_Bank,FunctionalStateNewState)；
经过以上几个过程，咱们就完成了FSMC的装备，能够拜访IS62WV51216了，这儿还需求注意，由于咱们运用的是BANK1的区域3，所以HADDR[27:26]=10，故外部内存的首地址为0X68000000。
- //运用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
- //对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线规模为A0~A17
- //对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线规模为A0~A18
- #defineBank1_SRAM3_ADDR((u32)(0x68000000))
- //初始化外部SRAM
- voidFSMC_SRAM_Init(void)
- {
- FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
- FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
- GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
- RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
- RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF33; //PORTD复用推挽输出
- GPIO_InitStructure.GPIO_Mode=GPIO_Mode_AF_PP;//复用推挽输出
- GPIO_InitStructure.GPIO_Speed=GPIO_Speed_50MHz;
- GPIO_Init(GPIOD,&GPIO_InitStructure);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF83; //PORTE复用推挽输出
- GPIO_Init(GPIOE,&GPIO_InitStructure);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xF03F; //PORTD复用推挽输出
- GPIO_Init(GPIOF,&GPIO_InitStructure);
- GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0x043F; //PORTD复用推挽输出
- GPIO_Init(GPIOG,&GPIO_InitStructure);
- readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime=0x00;//地址树立时刻（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns
- readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime=0x00;//地址坚持时刻（ADDHLD）形式A未用到
- readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime=0x03;//数据坚持时刻（DATAST）为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)
- readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration=0x00;
- readWriteTiming.FSMC_CLKDivision=0x00;
- readWriteTiming.FSMC_DataLatency=0x00;
- readWriteTiming.FSMC_AccessMode=FSMC_AccessMode_A;//形式A
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank=FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 这儿咱们运用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux=FSMC_DataAddressMux_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode=FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity=FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode=FSMC_WrapMode_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive=FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation=FSMC_WriteOperation_Enable;//存储器写使能
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal=FSMC_WaitSignal_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode=FSMC_ExtendedMode_Disable;// 读写运用相同的时序
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst=FSMC_WriteBurst_Disable;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct=&readWriteTiming;
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct=&readWriteTiming;//读写相同时序
- FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);//初始化FSMC装备
- FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3,ENABLE);// 使能BANK3
- }
- //在指定地址开端,接连写入n个字节.
- //pBuffer:字节指针
- //WriteAddr:要写入的地址
- //n:要写入的字节数
- voidFSMC_SRAM_WriteBuffer(u8*pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
- {
- for(;n!=0;n–)
- {
- *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
- WriteAddr+=2;//这儿需求加2，是由于STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
- pBuffer++;
- }
- }
- //在指定地址开端,接连读出n个字节.
- //pBuffer:字节指针
- //ReadAddr:要读出的开始地址
- //n:要写入的字节数
- voidFSMC_SRAM_ReadBuffer(u8*pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
- {
- for(;n!=0;n–)
- {
- *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
- ReadAddr+=2;//这儿需求加2，是由于STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.
- }
- }
- ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
- //测试函数
- //在指定地址写入1个字节
- //addr:地址
- //data:要写入的数据
- voidfsmc_sram_test_write(u8data,u32 addr)
- {
- FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//写入1个字节
- }
- //读取1个字节
- //addr:要读取的地址
- //返回值:读取到的数据
- u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
- {
- u8data;
- FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
- returndata;
- }
