每年一次的半导体工业盛会ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)，2007年也在很多业者宣布最新研制效果的气势下，2月15日正式划下句点，而支撑起这个句点的背面，更是很多令人赞赏的焦点和研制效果。就如同曩昔相同，当ISSCC完毕后，审视会议的各项研讨宣布，可以发现，在未来半导体技能的前进速度，现已快要超乎摩尔最初的预期，而开展的方向从制程的纤细化、逻辑闸数量，开端朝向低功耗、多元化资料、多运算功用开展，也就是说，不只深度出现跳跃式的的前进，在广度的部份，更是涵盖了更为宽广的运用和生长。
2007年的ISSCC从2月11日打开，整个活动为期5天，前后2天资别是研讨会方式的讲演，而中心的1214日三天则是各业者研制效果的宣布。整个活动会场，从11日开端便围绕在低耗电、高速和高效能的气氛之中，其间，包含来自英特尔、IBM、东芝、索尼计算机文娱等大厂的讲演，更是成为一切参观者注视的焦点。
关于65nm制程的跨过 DFM扮演适当要害的要素
在ISSCC 2007的讲演活动中，集合了当今全球半导体工业中各范畴的菁英，包含TSMC董事长张忠谋、Analog Devices技能副总裁兼技能专家Lewis W. Counts、ST董事Joel Hartmann…等等，针对其所拿手的技能部份，宣布相关精辟的讲演。
TSMC董事长张忠谋以为，现在TSMC有必要开端对本身进行改动，由于关于65nm制程的CMOS芯片来说，其规划本钱是90nm制程时的2倍以上，此外还包含了工厂的建造本钱、研讨开发本钱，也不断的伴随着制程的微细化而逐步上升，所以如过仍是停留在曩昔由客户规划IC、代工厂进行出产的简略形式，信任在未来艰的市场环境中将难以生计，所以在这之中，能否完结DFM便扮演了适当要害的要素，到达从规划规划开端、包含实体的规划、制作等各方面，工厂与客户之间可以进行亲近的协作，完结新产品的开发和出产。
关于这一点，ST董事Joel Hartmann也适当附和，而且在其讲演之中，验证出其重要性，Hartmann以为，现在曝光技能运用的是193nm紫外线，可是为了面临未来更纤细化的制程需求，有些工厂开端导入“滋润式曝光”的技能，就表面上看来似乎是暂时处理了部分问题，可是因曝光引起的过错，依然仍是添加，这一方面就不得不与客户共同努力，此外还包含由于制程的的微细化，导致了布线的电阻增大，严峻的推迟传送速度。这些种种的课题，都是有必要透过选用DFM的概念来处理问题。
