在嵌入式设备开发中,往往需求保存一些掉电不易失性的数据,假如体系装备、用户定制信息等等,假如添加额定的ROM IC,比方(根据I2C的24C02等等)往往会形成额定的PCB空间增大,硬件本钱添加,下降产品的性价比。假如单从实用性来讲,在stm32的体系中,诸如此类的运用,笔者引荐如下2个办法能够去测验和学习。
根据备份寄存器
原理:关于大容量的MCU系列来说,它有着42个16bit的备份寄存器,而中小容量的微处理器却只有10个16bit的备份寄存器。以STM32F103C8T6为例,42个备份寄存器的地址偏移为:0x04~0x28,0x40~0xBC,共能够存储84个byte数据。备份寄存器是依靠者备份电源的,当外界的VDD掉电,只需体系的VBAT能正常存在,那么Bakeup Domaain Registers的内容能够被正常保存起来。
软件编程关键,以一个项目中常用的case为例:
功用初始化:
备份寄存器读出:void BKP_WriteBackupRegister(uint16_t BKP_DR, uint16_t Data)
备份寄存器读出:uint16_t BKP_ReadBackupRegister(uint16_t BKP_DR)
该办法运用简略,明晰,可是因为一共的能够运用的空间少,故该办法仅仅适合于保存小批量的数据,如穿戴设备中用户的常用装备数据。
根据内部闪存
原理:FLASH 存储器又称为闪存,它也是可重复擦写的储器。它分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH,NOR FLASH一般运用在代码存储的场合,如嵌入式控制器内部的程序存储空间;而 NAND FLASH 一般运用在大数据量存储的场合,如U 盘以及固态硬盘等,一般都是 NAND FLASH 类型的。
在stm32芯片中,Flash的读写单位都是以“页”为单位的,以STM32F103C8T6为例,它的每页巨细为2K bytes;
软件编程关键
读写维护免除:运用这种办法条件是,当时读和写Flash的答应的,假定当时flash已经是答应写的。所以暂时一些关于OpTIonBytes的操作和Flash的读写维护操作等API暂时不做评论。
FlashWrite:单个uint32_t数据的写入简易流程如图:
FlashRead:关于单个int数据的读出,比较简略,经过下列句子完结:rdData= (*(__IOuint32_t *)dataAddr);
因为SW介入的API较多,并且有许多的额定的布景常识需求码农去了解,运用该办法,相对比较复杂。可是因为保存数据以页为单位,页的巨细能够多达2048bytes,所以该办法能够实用于保存掉电不易失的大数据。考虑到flash读写维护的逻辑机制,该办法最好在不考虑数据的安全性问题条件下,才运用这种办法。
关于诸如此类的掉电维护数据办法,这儿仅仅是抛砖引玉,欢迎我们多多提出更好的计划。
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