2014 年 1 月22 日,宾夕法尼亚、MALVERN —— 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣告，推出具有业界最低导通电阻的新款P沟道MOSFET—Si7157DP，扩大其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V电压下的导通电阻别离低至0.0016Ω和0.0020Ω，可进步移动电子设备的功率。
Si7157DP适用于笔记本电脑的电源办理中的负载和电池开关。现在的规划师承受着让这些器材更薄更轻的压力，这意味着要减小电池尺度，从而缩短运用寿数。与此一起，图形处理和Wi-Fi等功能又在增加对电池的运用，使得电源功率成为规划的首要方针。
Si7157DP的低导通电阻使规划者可以在其电路里完成更低的压降和传导损耗，更有效地运用电能，并延伸电池寿数，尤其是在峰值负载下，一起其小尺度6.15mm x 5.15mm PowerPAK® SO-8封装占位面积可节约名贵的PCB空间。器材在峰值电流下的低压降还供给了欠压确定电平以上更大的电压裕度，有助于避免在带负载时下呈现不期望的欠压确定状况。
Si7157DP进行了100%的Rg和UIS测验。MOSFET契合JEDEC JS709A的无卤素规则，契合RoHS指令2011/65/EU。像其他Vishay Siliconix P沟道Gen III MOSFET相同，Si7157DP选用最先进的工艺技术制作，把10亿个晶体管元胞放进1平方英寸的硅片里。有关公司P沟道Gen III MOSFET的更多信息，请拜访http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
新款P沟道MOSFET现可供给样品，并已完成量产，大宗订购的供货周期为十二周到十六周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器材）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制作商之一。这些元器材可用于工业、核算、轿车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗商场中简直一切类型的电子设备和配备。凭仗产品立异、成功的收买战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。
