电容器有三个重要标准，便是容量，耐压值，用于 AC/DC 三个。
榜首部分：称号，用字母表明，电容器用C。
第二部分：资料，用字母表明。
第三部分：分类，一般用数字表明，单个用字母表明。
第四部分：序号，用数字表明。
一、电容器品种
按照首要原料特性分为电解质电容， 电解质芯片电容， 塑料薄膜电容， 陶瓷电容， 及陶瓷芯片电容等大类别。
1. 电解质电容器品种： 按照细部原料， 形状， 及功用特性可再区分为标准型 （》11mm高度）， 迷你型 （7mm高度）， 超迷你型 （5mm高度）， 耐高温型 （105℃）， 低漏电型， 迷你低漏电型 （7mm高度）， 双极性型， 无极性型， 及低内阻型 （Low ESR）等。
2. 电解质芯片电容器品种： 按照细部原料， 形状， 及功用特性可再区分为标准型芯片， 耐高温型芯片 （105℃）， 无极性型芯片， 及钽质芯片等。
3. 塑料薄膜电容器品种： 按照细部原料， 形状， 及功用特性可再区分为聚乙烯薄膜， 金属化聚乙烯薄膜， 聚乙脂薄膜， 聚丙烯薄膜， 直流用金属化聚丙烯薄膜， 及交流用金属化聚丙烯薄膜等。
4. 陶瓷电容器品种： 按照细部原料， 形状， 及功用特性可再区分为Class-1 （T.C. Type）温度补偿型， Class-2 （Hi-K Type）高诱电型， Class-3 （S.C. Type）半导体型 等。
5. 陶瓷芯片电容品种： 按照尺度及额外功率特性可再区分为0402， 0603， 0805， 1206等较具普遍性。
二、电容器首要电气标准
1. 电容量Capacitance： 一般电解电容器的电容量规模为0.47uF-10000uF， 测验频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量规模为0.001uF-0.47uF， 测验频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量规模为1 pF-680pF， 测验频率为1MHz. Hi-K type的电容量规模为100pF-0.047uF， 测验频率为1KHz. S/C type的电容量规模为0.01uF-0.33uF.
2. 电容值差错Tolerance： 一般电解电容器的电容值差错规模为M 即 +/-20%， 塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%， 或M即 +/-20%三种， 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF （10pF以下时）， 或D即 +/-0.5pF （10pF以下时）， 或J或K四种。 Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种。
3. 丢失角即D值： 一般电解电容器由于内阻较大故D值较高， 其标准视电容值凹凸决议， 为0.1-0.24以下。 塑料薄膜电容器则D值较低， 视其原料决议为0.001-0.01以下。 陶瓷电容器视其原料决议， Hi-K type 及S/C type为0.025以下。 T/C type其标准以Q值表明需高于400-1000. （Q值相当于D值的倒数）
4. 温度系数Temperature Coefficient： 即为电容量受温度改动改动之份额值， 一般仅适用于陶瓷电容器。 T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm， UJ即为 -750+/-120ppm， SL即为 +350+/-1000ppm. Hi-K type （Z）及S/C type （Y）， 其常用代号为B （5P）即为 +/-10%， E （5U）即为 +20/-55%， F （5V）即为 +30/-80%.
5. 漏电流量Leakage current： 此为电解电容器之特定标准， 一般以电容器自身额外电压加压3 Min后， 串接电流表测验， 其漏电流量需在0.01CV （ uF电容量值与额外电压相乘积） 或3uA以下 （取其较大数值）。 特定低漏电流量运用 （Low leakage type） 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下。
6. 冲击电压Surge Voltage： 一般以电容器自身额外电压之1.3倍电压加压， 需作业正常无异状。
7. 运用温度规模： 一般电解电容器的运用温度规模为 -25℃至+85℃， 特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃。 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃。 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃， Hi-K type 及S/C type为 -25℃至+85℃。
三、电容器首要特性参数
1、标称电容量和答应差错
标称电容量是标志在电容器上的电容量。
电容器实践电容量与标称电容量的差错称差错，在答应的差错规模称精度。
精度等级与答应差错对应联系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，依据用处选取。
2、额外电压
在最低环境温度和额外环境温度下可接连加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标示在电容器外壳上，假如作业电压超越电容器的耐压，电容器击穿，形成不行修正的永久损坏。
3、绝缘电阻
直流电压加在电容上，并发生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。 当电容较小时，首要取决于电容的外表状况，容量〉0.1uf时，首要取决于介质的功能，绝缘电阻越大越好。
电容的时刻常数：为恰当的点评大容量电容的绝缘状况而引入了时刻常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。
4、损耗
电容在电场效果下，在单位时刻内因发热所耗费的能量叫做损耗。各类电容都规则了其在某频率规模内的损耗答应值，电容的损耗首要由介质损耗，电导损耗和电容一切金属部分的电阻所引起的。
在直流电场的效果下，电容器的损耗以漏导损耗的方式存在，一般较小，在交变电场的效果下，电容的损耗不只与漏导有关，并且与周期性的极化树立进程有关。
5、频率特性
跟着频率的上升，一般电容器的电容量出现下降的规则。
四、各类电容器参阅标准
电解质电容 ElectrolyTIc Capacitor
品种 （Mini） 》=11mm （Super-Mini） 7mm （Ultra-Mini） 5mm
额外电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-50V
容值规模 （120Hz） 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-470uf 0.1-220uf
容值差错 （120Hz） M M M M
温度规模 -40℃–+85℃ -25℃–+85℃ -40℃–+105℃ -40℃–+105℃
漏电流 （3 Min.） 《=0.01 CV 或 3 uA 《=0.03 CV 或 3 uA 《=0.03 CV 或 3 uA 《=0.01 CV 或 3 uA
丢失角 （120Hz） 《=0.08–0.22 《=0.16–0.20 《=0.1–0.24 《=0.1–0.24
品种 （High Temp.） 》=11mm （Low leakage） 》=11mm （Mini / Low leakage） 7mm
额外电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-63V
容值规模 （120Hz） 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-1000uf 0.47-100uf
容值差错 （120Hz） M M M M
温度规模 -40℃–+105℃ -25℃–+105℃ -40℃–+105℃ -40℃–+105℃
漏电流 （3 Min.） 《=0.01 CV 或 3 uA 《=0.03 CV 或 3 uA 《=0.002CV或0.4uA 《=0.002CV或0.4uA
丢失角 （120Hz） 《=0.08–0.22 《=0.15–0.24 《=0.1–0.24 《=0.1–0.24
品种 （Bipolar） 》=26mm （Nonpolar）》=11mm （Low ESR）
额外电压 25/50V 10-160V 6.3-63V 6.3-100V 160-450V
容值规模 （120Hz） 2.2-10uf 0.47-1000uf 0.47-100uf 4.7-3300uf 3.3-330uf
容值差错 （120Hz） M M M
温度规模 -40℃–+85℃ -40℃–+105℃ -40℃–+85℃ -55℃–+105℃ -40℃–+105℃
漏电流 （3 Min.） 《=100uA 《=0.03 CV 或 4 uA 《=0.03 CV 或 3 uA
丢失角 （120Hz） 《=0.05 《=0.15-0.25 《=0.12–0.24
Ripple Current 6-8 Amp
电解质芯片电容 ElectrolyTIc Chip Capacitor
品种 ElectrolyTIc （General） ElectrolyTIc （Hi-Temp.） Electrolytic （Non-polar） Tantalun Chip
电容值规模 0.1-1000uf 0.1-1000uf 0.1-47uf 0.1—220 uf
额外电压规模 6.3-100V 6.3-100V 6.3-50V 6.3—50 V
容值差错规模 M M M K / M
温度规模 -40℃–+85℃ -40℃–+105℃ -40℃–+85℃ -55℃–+125℃
漏电流 《=0.01 CV 或 3 uA 《=0.01 CV 或 3 uA 《=0.01 CV 或 3 uA 0.01 CV 或 5 uA
丢失角 《=0.1-0.35 《=0.1-0.3 《=0.15-0.3 《=0.04-0.08
塑料薄膜电容器 Plastic Film Capacitor 金属化聚乙烯
品种 Polyester 聚乙烯 Metallized Polyester Polystrene 聚乙脂
电容值规模 0.001-0.47uf 0.01-10uf 100-10000pf
额外电压规模 50/100/200/400V 50/100/250/400/630V 50/100/125/250/500V
容值差错规模 J， K， M. J， K， M. G， J， K.
温度规模 -40℃–+85℃ -40℃–+85℃ -40℃–+85℃
丢失角（1KHz） 《=0.006 《=0.01 《=0.001
Withstand Voltage 200% 1 Min. 175% 3 Sec.
Inductive / 代号 No/Yes， PEN（Red）/PEI（Green） No / MPE （Red） No / PS
金属化聚丙烯
品种 Polypropylene 聚丙烯 Metallized Polypropylene Metallized Polypropylene 金属化聚丙烯
电容值规模 0.001-0.68uf 0.01-3.3uf 0.001-0.47uf
额外电压规模 50/100/250/400/630/1000V 100/250/400/630V 250/275VAC
容值差错规模 J， K， M. G， J， K. K（》0.01uf）， M（《0.01uf）
温度规模 -40℃–+85℃ -40℃–+85℃ -40℃–+85℃
丢失角（1KHz） 《=0.0008 《=0.001 《=0.001
Withstand Voltage 250 % Rated Voltage DC 2000V / 1Sec. DC 2000V / 1Sec.
Inductive / 代号 No， PPN / PPS （Hi-Voltage） No / MP No / MPX （X2 Cap.）Across the line cap.
陶瓷芯片电容 （MLCC）Multi-layer Ceramic Chip
类型 0402 0603 0805 1206
尺度 inch 0.04L*0.02W 0.06L*0.03W 0.08L*0.05W 0.12L*0.06W
额外电压 16/25/50V 10/16/25/50V 10/16/25/50V 25/50/100/200/500V
温度系数 COG （NPO） X7R Y5V
容值规模 《=220pf
温度规模 -55℃–+125℃ -55℃–+125℃ -30℃–+85℃
容值差错 F 或 G 或 J 或 K J 或 K 或 M +80/-20% 或 M
D值 （1KHz） 《=0.0015 《=0.025 《=0.05
陶瓷电容 Ceramic Disc Chip
Class-1 （T.C. Type） CH （NPO+/_ 60） UJ （-750+/_120） SL （+350/_1000）
容值规模 《=680pf 《=680pf 《=680pf
温度规模 -55℃–+85℃ -55℃–+85℃ -40℃–+85℃
容值差错 C/D/J/K C/D/J/K C/D/J/K
Q值 （1MHz） 《=30pf Q》=400+20C 《=30pf Q》=400+20C 《=30pf Q》=400+20C
》30pf Q》1000 》30pf Q》1000 》30pf Q》1000
Class-2 （Hi-K Type） B（Y5P） +/_10% E（Z5U） +20/-55% F（Z5V） +30/-80%
容值规模 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf
温度规模 -25℃–+85℃ +10℃–+85℃ +10℃–+85℃
容值差错 K M +80/-20%
额外电压 50/63/100/500/630/1KV
D值 （1KHz） 《=0.025 《=0.025 《=0.05
Class-3 （S.C. Type） B（Y5P） +/_10% E（Y5U） +20/-55% F（Y5V） +30/-80%
容值规模 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf
温度规模 -25℃–+85℃ -25℃–+85℃ -25℃–+85℃
容值差错 K M +80/-20%
额外电压 16/25/50/63V
D值 （1KHz） 《=0.025 《=0.025 《=0.05
