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高安稳・宽温单片(或独石)电容器用介质陶瓷材料

摘要:利用介质陶瓷材料制造的高稳定、宽温单片(或独石)电容器,广泛应用于航空航天、军事及民用通信及电子设备中。在对介质陶瓷材料组分理论、控制温度工艺研究,以及BaTiO3-MgO3-Nb2O5系材料组

摘要:使用介质陶瓷资料制造的高安稳、宽温单片(或独石)电容器,广泛使用于航空航天、军事及民用通讯及电子设备中。在对介质陶瓷资料组分理论、操控温度工艺研讨,以及BaTiO3-MgO3-Nb2O5系资料组分重组的剖析的基础上,经过改善研磨工艺,操控煅烧温度等办法,研发出了工作温度规模宽、低损耗、介电常数ε可经过调整、功能安稳性电容器介质陶瓷资料。
关键词:无铅介质陶瓷资料;煅烧温度;高安稳性;介电常数ε

无铅(环保强制性要求,欧盟Rohs指令、WEEE指令)BaTiO3-MgO-Nb2O5系介质陶瓷资料,根本组成为82~95%摩尔比的碳酸钡,MgO和Nb2O5按份额1:1,烧成温度在1 300~1 400℃制造出商场急需的单片(或独石电容器)。所得电容器产品环保·较低损耗值·相对低的温度系数,介电常数系列化(如:300;500;1000;1500)。

1 需求布景
电子范畴对陶瓷电容器的需求越来越广泛,要求更是越来越高。目前商场急需一种介质陶瓷资料来制造高安稳,很宽温度规模的单片电容器(或独石电容器)。该资料至少满意下列条件:1)无“铅”以契合欧盟ROHS·WEEE等强制性要求:2)无“铋”以防止高温下与内电极浆猜中的“钯”产生反响下降产品功能安稳性;3)低损耗tgδ≤100×10-4(国家标准≤250×10-4);4)温度特性△C/C≤±15;5)工作温度规模-55~145℃,一般资料制造的电容器工作温度规模为-25~+85℃。
要满意上面的功能要求,有必要抛弃传统的有铅系统(Ti—Sr—Pb—Bi)和无铅系统(Ba—Ca—Zr—Su)两种系统形式,另辟蹊径,一起满意其他功能参数。该类电容器除了能满意高端的工业用处之外,必然扩展到对资料安稳性和工作温度规模有较高要求的军事范畴。本介质陶瓷资料在华星公司内部已进入小批量出产阶段。

2 实验与成果
2.1 资料系统
本资料系统来源于关于复合钙钛矿结构钛-钡-镁-铌-钽系列陶瓷资料系统的极点使用。在该系统陶瓷中,因为铌和钽具有附近的离子半径。所以在各种铌原子替代量之下该系统陶瓷都能构成杰出的固溶体且都能保持有序化结构。当“铌”彻底替代“钽”时,该系统BaTiO3-MgO3-Nb2O5就呈现了很简练且十分有用的成果。图1所示为该三元系统组份构成示意图。

2.2 工艺办法
将BaTiO3(或BaCO3,TiO2),MgO(或MgCO3),Nb2O5按份额配料,混料,细磨(D50≤2U)烘干,1 100~1 150℃之间空气中煅烧制备烧块,再行破碎,精密磨至D50≤1.5 M,按5Wt%参加PVA溶液(5%浓度)喷雾造粒,按100~1 000 kg/cm2。压力成型至φ12.7×1 mm,空气中烧成,1 350*50℃,2.5 h,再将陶瓷基片双面涂满银电极(银浆含银量>60%)850 ℃下烧银半小时待测。

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