之前咱们看了CMOS和JFET放大器输入偏置电流的来历，发现其首要由一个或几个反向偏置的PN节的漏电流组成。文章结束引出了一个警示，这些漏电流跟着温度升高而明显的增大。
PN节的反向偏置漏电流有很强的正温度系数，每升高10℃,漏电流大约增大一倍。在figure1归一化曲线中能够看出，这种指数添加使得漏电流快速添加。到125℃时，漏电流相对室温下添加了约1000倍。
不同的二极管特性使得漏电流添加的速率不一样，两倍的漏电流或许在8℃到11℃左右的范围内产生。这种高温下的漏电流添加在一些电路中将会是重要问题，也或许是一个挑选在室温下有着十分低输入偏置电流的FET或CMOS运放很好的理由。某些状况下，为了完成高温度下的低IB，会使用在高温度下IB没那么夸大添加的BJT运放。
一般咱们会假设在低温时，漏电流也持续下降，可是其他的走漏源或许会改动这种趋势。这些杂散走漏或许会有不同的温度特性。坦率说，低于室温的状况咱们知道的较少，因为咱们更重视在室温及室温以上的较高的走漏。咱们最好不要在远低于室温的状况下对其特性太自傲。在低温下更能成为重要问题的是水或许会凝聚，这能够使得走漏向上陡增。
之前讨论过CMOS运放的输入偏流首要来自于输入级上别离连接在电源轨上的两个钳位二极管的反向走漏电流的差异。即便一个彻底平衡的国际，两个有着简直相同走漏特性的二极管之间的漏电流剩余差值依然有着相同的指数温度改变，仅仅初始
值较低。IB的极性是不确定的，并因为二极管特性的细小不同，净余的电流或许会在某个温度下降到零(对数坐标图上无法显现其肯定数值)。
所以，什么定论?假如在您的FET运放电路中极低的输入偏置电流很要害，则仔细考虑它随温度上升而添加的特性。学习悉数的参数和典型功能图表。防止灵敏电路挨近热源。假如必要的话，制造您自己的丈量。关于真实要害的使用，有特别用处的超低输入偏置电流的放大器。他们用赋有创造性的维护电路和共同的引脚排布，完成室温下3fA范围内的IB，低于通用器材3个数量级。例如：
LMP7721——3fA输入偏置电流CMOS运算放大器
INA116——超低输入偏置电流外表放大器
