为了研讨元件、线路的寄生参数对VRM瞬态特性的影响，首先要树立-个仿真模型。图1所示为Intel公司Pentium Pro微处理器与VRM接口的仿真模型与瞬态电流的仿真波形。
VRM的输出端有滤波(Bulk)电容CB，解耦电容CD，还有封装(Pakaging)电容CP，各电容都有相应的ESR和ESL，别的，还要考虑各个电容之间的连接线寄生电阻(如0.5 mΩ)和寄生电感(如0.6 nH)。Cdie为芯片电容iB、iD、iP分别为滤波电容、解耦电容和封装电容输出各支路(即连接线)中的电流。
图1 Pentium Pro 微处理器与VRM接口的仿真模型与瞬态电流的仿真波形
微处理器作为VRM的负载，可以用电流源Io表明其作业电流的骤变状况。因为VRM输出接口电路有寄生参数9输出各支路的电流转化速率远小于微处理器的作业电流转化速率。因此在VRM输出的不同端点，瞬态电流波形、电流转化速率及瞬态电压波形都是不同的。例如，Pentium Pro的仿真结果表明，当微处理器的作业电流转化速率为4 A/ns时，滤波电容的输出支路电流扌：的转化速率小于30 A/ns;解耦电容的输出电流iD的转化速率小于1 A/ns。图1给出了各支路电流iB、iD和iP的瞬态波形。
当Io以高速度转化时，VRM的输出电压仍。从1.5 V先跌落到1.36 V再逐步上升1.4 V解耦电容端的瞬态输出电压uD则先跌落到1.16 V，再逐步上升到1.33 V。这说明微处理器与VRM接口电路中的各寄生参数对VRM瞬态呼应都有很大的影响。
图2 VRM瞬态输出电压的仿真波形
