2017年，全体内存工业不管DRAM或NAND Flash，都度过了一个黄金好年，那么2018年可否继续荣景呢? 归纳现在业界的观点，DRAM热度可望连续，求过于供态势仍旧，但NAND部分，恐怕就不会那么达观了，由于大厂3D NAND良率大跃进，供应过剩问题现已提早在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不会太抱负， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供应吃紧，到时工业由悲转喜。
DRAM无新增产能
首先就DRAM部分，以大方向来说，2018年在Fab端并无新增产能，顶多便是制程从2X奈米推进到1X奈米或是1Y奈米，带动位的生长。 市调单位集邦科技更直接表明，2018年各DRAM厂本钱开销方案都倾向保存，新增投片量约5～7%，这些新增产能都来自现有工厂产能的从头规划与制程转进。
此外，集邦也说到，跟着智能手机内存容量晋级，以及服务器、数据中心需求微弱， 2018年DRAM需求将生长约20.6%，供应端方面，预估将提高19.6%，为此，就全面子来看，2018年全体DRAM工业供需继续吃紧无虞，也因而，2018年各大DRAM厂商，包含三星、SK海力士、美光， 乃至是台湾的南亚科、华邦电继续稳健获利不成问题。
但现在在DRAM端有两点要留心与调查，榜首、尽管2018年全体DRAM端无新增Fab的产能出来，可是三星有意在平泽(Pyeongtaek)兴修第二座12吋厂，SK海力士也将在无锡兴修第二座12吋厂， 这两大厂的新厂产能最快2019年才会开出。
仅仅韩媒继续报道，三星将在DRAM端继续扩展产出的音讯，不断不坚定商场对DRAM工业的决心。 韩媒不断说到，三星在平泽厂区的半导体厂是两层楼修建，二楼无尘室将近竣工，这些空间将投入DRAM的扩建，但依据内存业者的泄漏，这两层楼中，有一层是投入3D NAND的扩产，至于别的一层楼中， 有意置入月产能五万片的DRAM产线，仅仅设备商也泄漏，三星还没下单收购设备，因而所谓新增五万片的DRAM产能想在2018年就开出，真的很困难。
服务器内存合约价续涨
第二个调查点是，DRAM品种繁复，包含Commodity、Specialty、Mobile、Server等DRAM，由于彼此间有产能架空效应，究竟在2018年，哪几种会最缺，价格涨幅最大，市况还不明亮， 由于世界三大DRAM厂，三星、SK海力士与美光，没有揭穿2018年的产品组合。
但市调单位集邦科技现已提早猜测，2018年最缺的会是Server DRAM。 集邦以为，数据中心的服务器需求日积月累，2018年服务器内存的生长率将达28.6%，续居内存各大产品线之首，带动价格上涨，主要原因包含榜首、Intel与AMD新服务器渠道转化火上加油，以及第二、 北美网络服务业者如Google、Amazon Web Service、Facebook与Microsoft Azure在新数据中心建案上的需求。
而光是2018年榜首季，服务器内存合约价将再上涨约5～8%，到时干流模块报价方面，一线厂32GB服务器模块将达300美元大关，二线厂更会高于此价格，使得2018年榜首季度价格将会维持在相对高点。
2018年NAND工业怎么看? 业界多估「先下后上」，而与NAND工业连动性最高的群联董事长潘健成估榜首季价跌需求增，第二季报价回稳，第三季求过于供。 而其实，因3D NAND良率总算快速上升，特别64/72层3D NAND纷繁量产，并已优先应用于SSD产品线，120GB的SSD在2017年12月中旬就跌破2017年年头的起提价，通路商开端大举抛货，报价下看30美元。
