自前一个星期以来,一向被无法下载编译好的文件所困扰,直到今日,才把NAND flash下载的问题处理了,其间有几点作为关键,特留下一笔.(其间还有许多问题待处理,如烧写NOR FLASH仍是呈现了问题,老是呈现Contents missmatch at: 00000000H (Flash=3CH Required=0DH) !这样的问题)
nand-flash下载:
我的ARM板装备如下:
CPU:S3C2410
NAND FLASH:64M K9F1208
NOR FLASH:1M AM29LV800BE
SDRAM: 64M 2片HY57V561620
在target下面:
这个要依据实践硬件电路设置好,最初,不明,弄错了,一向瞎搞,才弄了这么长期才搞定,
在utilities下面的flash download setup里有一个ram for algorithm 不要设置错了,弄错了,也没办法烧写进去,我便是因为这个原因,花了好长期,直接一次偶尔的时机,才搞定,现在想想真是走运啊.
这应该是三星内存4KB设置.
剩余的便是程序的烧写算法了,只要不弄错,根本就不会错了.
因为下载到NADN FLASH 所以还需求注意的是:
调试指令文件(INI)用于运用软件仿真和联机测验时,以下是几个常用的指令,用户能够依据调试需求来写自己的调试指令文件.
pc=0x00000000
令PC指向0x30000000处;(例程在RAM中运转时指向0x30000000,如果在Flash中运转则指向0x000)
map 0x00000000, 0x04000000 READ WRITE exec
指定某段存储区域的特点为可读,可写,可履行;
Go startaddr, stopaddr
程序从startaddr开端履行,到stopaddr处中止;开始地址都能够缺省. 也可用函数名表明地址例如 G , main
