电子元器件最常用的封装办法都有哪些
1、BGA(ballgridarray)球形触点陈设，外表贴装型封装之一。在印刷基板的反面按陈设办法制造出球形凸点用以替代引脚，在印刷基板的正面安装LSI芯片，然后用模压树脂或灌封办法进行密封。也称为凸点陈设载体(PAC)。引脚可超越200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。并且BGA不必忧虑QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被选用，往后在美国有可能在个人计算机中遍及。开端，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观查看。现在尚不清楚是否有用的外观查看办法。有的以为，因为焊接的中心距较大，衔接可以看作是安稳的，只能经过功用查看来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封办法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。
2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以避免在运送过程中引脚发生曲折变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中选用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)外表贴装型PGA的别称(见外表贴装型PGA)。
4、C-(ceramic)表明陶瓷封装的记号。例如，CDIP表明的是陶瓷DIP。是在实践中常常运用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表明为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad外表贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装 EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在天然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装本钱比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、 0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规范。引脚数从32到368。
7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)带引脚的陶瓷芯片载体，外表贴装型封装之一，引脚从封装的四个旁边面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)
8、COB(chiponboard板上芯片封装，是裸芯片贴装技能之一，半导体芯片交代贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气衔接用引线缝合办法完成，芯片与基板的电气衔接用引线缝合办法完成，并用树脂掩盖以保证可靠性。尽管COB是最简略的裸芯片贴装技能，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技能。
9、DFP(dualflatpackage)双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。曾经曾有此称法，现在已根本上不必。
10、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
11、DIL(dualin-line)DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此称号。
12、DIP(dualin-linepackage)。双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两边引出，封装资料有塑料和陶瓷两种。DIP是最遍及的插装型封装，运用规模包含规范逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度一般为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装别离称为skinnyDIP和 slimDIP(窄体型DIP)。但大都情况下并不加区分，只简略地统称为DIP。别的，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见 cerdip)。
13、DSO(dualsmallout-lint)双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家选用此称号。
14、DICP(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制造在绝缘带上并从封装两边引出。因为运用的是TAB(主动带载焊接)技能，封装外形十分薄。常用于液晶显示驱动LSI，但大都为定制品。别的，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，依照EIAJ(日本电子机械工业)会规范规则，将DICP命名为DTP。
15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本电子机械工业会规范对DTCP的命名(见DTCP)。
16、FP(flatpackage)扁平封装。外表贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家选用此称号。
17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技能之一，在LSI芯片的电极区制造好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊衔接。封装的占有面积根本上与芯片尺寸相同。是一切封装技能中体积最小、最薄的一种。但假如基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处发生反响，然后影响衔接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并运用热膨胀系数根本相同的基板资料。
18、FQFP(finepitchquadflatpackage)小引脚中心距QFP。一般指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家选用此称号。
19、CPAC(globetoppadarraycarrier)美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以避免曲折变形。在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处堵截引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。
21、H-(withheatsink)表明带散热器的符号。例如，HSOP表明带散热器的SOP。
22、pingridarray(surfacemounttype)外表贴装型PGA。一般PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。外表贴装型PGA在封装的底面有陈设状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装选用与印刷基板碰焊的办法，因此也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只要 1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制造得不怎样大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制造封装现已有用化。
23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家选用的称号。
24、LCC(Leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个旁边面只要电极触摸而无引脚的外表贴装型封装。
是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。
25、LGA(landgridarray)触点陈设封装。即在底面制造有阵列状况坦电极触点的封装。安装时刺进插座即可。现已有用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，运用于高速逻辑LSI电路。LGA与QFP比较，可以以比较小的封装包容更多的输入输出引脚。别的，因为引线的阻抗小，关于高速LSI是很适用的。但因为插座制造杂乱，本钱高，现在根本上不怎样运用。估计往后对其需求会有所增加。
26、LOC(leadonchip)芯片上引线封装。LSI封装技能之一，引线结构的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心邻近制造有凸焊点，用引线缝合进行电气衔接。与本来把引线结构安置在芯片旁边面邻近的结构比较，在相同巨细的封装中包容的芯片达1mm左右宽度。
27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会依据拟定的新QFP外形规范所用的称号。
28、L-QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的结构用氧化铝，芯片用灌封法密封，然后按捺了本钱。是为逻辑LSI开发的一种封装，在天然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚 (0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开端投入批量生产。
29、MCM(multi-chipmodule)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。依据基板资料可分为MCM-L，MCM-C和MCM-D三大类。
MCM-L是运用一般的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎样高，本钱较低。
MCM-C是用厚膜技能构成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与运用多层陶瓷基板的厚膜混合IC相似。两者无显着不同。布线密度高于MCM-L。
MCM-D是用薄膜技能构成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。
布线密议在三种组件中是最高的，但本钱也高。
