瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特色是体积小， 损耗低，电容对频率，温度安稳性都较高，常用于高频电路。
II型（CT型）特色是体积小，损耗大，电容对温度频率，安稳性都较差，常用于低频电路。
CC1型圆片高频瓷介电容
适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直运用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 实验电压：200v
答应误差：5p（+-0.5p） 6-10p（+-1P） 10p以上（J，K，M）温度系数：-150— -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%
瓷介电容器又称陶瓷电容器，它以陶瓷为介质，涂敷金属薄膜（一般为银）经高温烧结而构成电极，再在电极上焊上引出线，表面涂以维护磁漆，或用环氧树脂及酣自主树脂包封，即成为瓷介电容器。
作为资介电容器介质的陶瓷资料是由各种质料依照不同的配方经高温烧结后制成的。陶程资料配方不同，它的电功能也不-样。运用这一点，就可以制作出各种不同介电常数和不同温度系数的电容器，以满意不同的运用要求。一同跟从小编进入本文的主题吧。
瓷介电容器常用的陶瓷介质资料有以下三类：
Ⅰ型电容器陶瓷：它的介电常数一般小于100 ，电气功能安稳，基本上不随温度、电压、时刻的改动而改变，属超安稳、低损耗的电容器介质资料，常用于对安稳性、牢靠性要求较高的高频、超高频、甚高频的场合。
Ⅱ型电容器陶瓷：它的介电常数一般大于1000 ，电气功能较安稳，适用于隔直、耦合、旁路和洁、波电路及对牢靠性要求较高的中、低频场合。因型电容器陶盟：它具有很高的介电常数，广泛应用于对容量安稳性和损耗要求不高的场合。
以铁酸顿为主的陶瓷资料为介质的电容器被称为独石瓷介电容器，它由多层片状陶瓷膜叠起来烧结而成。因为它的每片陶盗膜很薄，因此具有容量大、体积小的特色。
瓷介电容器具有以下特色：
1.因为电容器的介质资料为陶哇，所以耐热功能杰出，不容易老化。
2.瓷介电容器本领酸碱及盐类的腐蚀，抗腐蚀性好。
3.低频陶瓷资料的介电常数大，因此低频瓷介电容器的体积小、容量大。
4.绝缘性能好，可制成高压电容器。
5.高频陶瓷资料的损耗角正切值与频率的联系很小，因此在高频电路可选用高频监介电容器。
6.价格便宜，原资料丰厚，适合大批量出产。
7.盟介电容器的电容量较小，机械强度较低。
