晶体管电子滤波器

晶体管电子滤波器
在许多电子电路中,特别是一些小信号扩大电路,其电源往往会参加一级晶体管电子滤波器,其电路结构如图J1,设图的右边是一个与电子滤波效果相同的一般RC滤波电路,则它们有以下联系:图的左面 Uec=Ib*R1+Ueb=Ib*R1
因为Iec=β*Ib (β为晶体管的直流扩大系数)
所以有Uec=(Iec/β)*R1
图的右边Uec=Rec*Iec 因为左右图相互等效所以有
Rec*Iec=(Iec/β)*R1得Rec=R1/β
两滤波器的滤波功能一般用R与C的乘积来衡量,所以有:
R1*C1=Rec*C1’=(R1/β)*C1′
C1=C1’/β
由上式可知,电子滤波器所需的电容C1比一般RC滤波器所需电容少β倍.打个比如设晶体管的直流扩大系数β=100,假如用一般RC滤波器所需电容容量为1000μF,如选用电子滤波器那么电容只需要10μF就满足要求了.场效应管
   现在越来越多的电子电路都在运用场效应管,特别是在音响范畴更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压操控器材(晶体管是电流操控器材),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,因为是电压操控器材所以噪声小,其结构简图如图C-a.
    场效应管是一种单极型晶体管,它只要一个P-N结,在零偏压的状况下,它是导通的,假如在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场效果下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压到达一守时,耗尽区将彻底沟道”夹断”,此刻,场效应管进入截止状况如图C-c,此刻的反向偏压咱们称之为夹断电压,用Vpo表明,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表明为Vpo=Vps+|Vgs|,这儿|Vgs|是Vgs的绝对值.
   在制作场效应管时,假如在栅极资料参加之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地添加其输入阻抗,因为这一绝缘层的存在,场效应管可作业在正的偏置状况,咱们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可作业在反向偏置,零偏置和正向偏置状况,一种是结型栅型效应管,它只能作业在反向偏置状况.
绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,咱们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特色:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只要当Vgs添加到某一个值时才开端导通,有漏极电流发生.并称开端呈现漏极电流时的栅源电压Vgs为敞开电压.
耗尽型场效应管的特色,它能够在正或负的栅源电压(正或负偏压)下作业,并且栅极上基本无栅流(十分高的输入电阻).
   结型栅场效应管运用的电路能够运用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管运用的电路不能用结型 栅场效应管替代.