您的位置 首页 系统

双向可控硅触发电路设计技巧经历共享

本站为您提供的双向可控硅触发电路设计技巧经验分享,本文开始对双向可控硅的特点及应用进行了介绍,其次介绍了双向可控硅构造原理,最后详细的阐述了双向可控硅触发电路设计技巧经验的总结。

  双向可控硅简介

  “双向可控硅”:是在一般可控硅的基础上开展而成的,它不仅能替代两只反极性并联的可控硅,并且仅需一个触发电路,是比较抱负的沟通开关器材。其英文名称TRIAC即三端双向沟通开关之意。

双向可控硅触发电路设计技巧经历共享

  双向可控硅特色及运用

  双向可控硅可被认为是一对反并联衔接的一般可控硅的集成,作业原理与一般单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2,一个门极G,门极使器材在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通,因此有四种触发方法。双向可控硅运用为正常运用双向可控硅,需定量把握其主要参数,对双向可控硅进行恰当选用并采纳相应措施以到达各参数的要求。

  ·耐压等级的挑选:一般把VDRM(断态重复峰值电压)和VRRM(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器材的额外电压。选用时,额外电压应为正常作业峰值电压的2~3倍,作为答应的操作过电压裕量。

  ·电流的确认:因为双向可控硅一般用在沟通电路中,因此不必平均值而用有效值来表明它的额外电流值。因为可控硅的过载才能比一般电磁器材小,因此一般家电中选用可控硅的电流值为实际作业电流值的2~3倍。一起,可控硅接受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时的峰值电流应小于器材规则的IDRM和IRRM。

  ·通态(峰值)电压VTM的挑选:它是可控硅通以规则倍数额外电流时的瞬态峰值压降。为削减可控硅的热损耗,应尽或许挑选VTM小的可控硅。

  ·坚持电流:IH是坚持可控硅坚持通态所必需的最小主电流,它与结温有关,结温越高,则IH越小。

  ·电压上升率的抵抗:dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率,这是避免误触发的一个要害参数。此值超限将或许导致可控硅呈现误导通的现象。因为可控硅的制作工艺决议了A2与G之间会存在寄生电容。

双向可控硅触发电路设计技巧经历共享

  双向可控硅结构原理

  虽然从形式上可将双向可控硅当作两只一般可控硅的组合,但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器材。小功率双向可控硅一般选用塑料封装,有的还带散热板。典型产品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V)、2N6075(4A/600V),MAC218-10(8A/800V)等。大功率双向可控硅大多选用RD91型封装。

  双向可控硅归于NPNPN五层器材,三个电极分别是T1、T2、G。因该器材能够双导游通,故除门极G以外的两个电极总称为主端子,用T1、T2表明,不再划分红阳极或阴极。其特色是,当G极和T2极相对于T1,的电压均为正时,T2是阳极,T1是阴极。反之,当G极和T2极相对于T1的电压均为负时,T1变成阳极,T2为阴极。双向可控硅因为正、反向特性曲线具有对称性,所以它可在任何一个方导游通。

双向可控硅触发电路设计技巧经历共享

声明:本文内容来自网络转载或用户投稿,文章版权归原作者和原出处所有。文中观点,不代表本站立场。若有侵权请联系本站删除(kf@86ic.com)https://www.86ic.net/qianrushi/xitong/66438.html

为您推荐

联系我们

联系我们

在线咨询: QQ交谈

邮箱: kf@86ic.com

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

返回顶部