依据Lec 12和Lec 13这两期的内容MOSFET了解与使用：Lec 12—一篇文章搞定共源级扩大电路，MOSFET了解与使用：Lec 13—规划一个实践的共源级扩大电路，咱们现已规划了一个实践能够用的扩大器，咱们能够依据这些常识规划出五倍、十倍的扩大器，可是当咱们要出产不计其数这种扩大器的时分，咱们就不得不考虑这个器材的鲁棒性Robust。OK，本期就谈谈这个Robust。
哪些因素会影响MOSFET扩大器的Robust添加一个电阻，进步Robust添加一个电容。
1、哪些因素会影响MOSFET扩大器的Robust
首先看之前讲过的共源级扩大电路的扩大倍数表达式，这个在MOSFET了解与使用：Lec 7—扩大器电路模型II中具体推导过。咱们就用这个表达式来剖析扩大器的Robust。
①、温度：温度会影响u_n，前面介绍过u_n能够了解为电荷的运动才干，只要在必定温度规模内u_n才干坚持一个安稳的数值，所以器材的Datasheet一般都会标明该器材能够正常作业的温度规模。
②、供电电压：供电电压假如不行安稳，纹波较大，直流偏置电压VGS就会颤动，然后影响扩大倍数。
③、工艺：由于厂家工艺的约束，同一厂家今日做的晶圆和昨日做的晶圆必定会有稍微的差异，不同厂家生成的晶圆片之间或许差异更大，这一差异会导致不同晶圆片的V_TH不同，W/L不同，Cox不同，R_D不同。
2、添加一个电阻，进步Robust
看图Fig. 1中电路，左图为咱们之前介绍的惯例的扩大电路，右图仅有的不同是在MOSFET的源级加上了一个电子，这个电阻是什么效果呢？咱们把MOSFET的小信号电路模型带入右图，使用之前解说的内容很简单救能够求出它的扩大倍数，弄不了解的小姐姐能够留言，手把手把你搞了解。
从这个式子中能够看出当温度、供电电压、工艺导致gm变化时，由于R_S的效果，使扩大倍数的安稳性进步许多，一个极限的比如是当R_S远大于1/gm时，扩大倍数为R_D/R_S，与gm没有关系了，由于工艺的原因，同一晶圆片上的电阻要么都偏大，要么都偏小，这样比值误差的程度就小许多。尽管R_S能够大大进步器材的Robust，可是咱们支付的价值确是扩大倍数的下降。（R_S=0时为咱们之前得到的扩大倍数）
3、添加一个电容，一举两得
供电电压的安稳对器材的Robust影响是非常大的，假如疏忽温度和厂家工艺对Robust的影响，只考虑供电电压影响的画，能够有用下面的拓扑结构，在MOSFET的源级再并联上一个电容C_S，这样能够减小直流供电电压对扩大倍数安稳性的影响，又不会由于R_S的引进导致扩大倍数的下降。
