新式的非易失性存储器遭到许多重视，这些新式的存储器技能将会主导下一代存储器商场。
这些新式的非易失性存储器技能主要有五种类型：闪存（Flash），铁电随机存取存储器（FeRAM），磁性随机存取存储器（MRAM），相变存储器（PCM）和RRAM。
非易失性存储器，特别是具有大块（或“扇区”）擦除机制的Flash“闪存”存储器，在曩昔10年中一直是半导体事务中增加最快的部分。
这些新式技能中的一些包含MRAM，FeRAM，PCM，自旋搬运矩随机存取存储器（STT-RAM），RRAM和忆阻器。
MRAM是非易失性存储器。与DRAM不同，数据不是存储在电荷流中，而是存储在磁性存储元件中。存储元件由两个铁磁板构成，每个铁磁板都可以坚持磁场，并由薄的绝缘层离隔。两块板之一是设置为特定极性的永磁体。另一个字段可以更改以匹配外部字段的字段以存储内存。
STT-RAM是MRAM（非易失性）的晋级技能，但具有比传统MRAM更好的可伸缩性。STT是一种作用，其间可以运用自旋极化电流来修正磁性地道结或自旋阀中磁性层的方向。自旋搬运转矩技能具有使MRAM器材结合低电流要求和降低成本的潜力。可是，现在，关于大多数商业使用而言，从头定向磁化所需的电流量太高。
PCM是根据硫族化物玻璃的非晶态和结晶态之间可逆的相变的非易失性随机存取存储器，也称为电子一致存储器（OUM），可经过加热和冷却玻璃来完成。它利用了硫族化物（一种已用于制作CD的资料）的共同功能，因而，电流经过所发生的热量会在两种状况之间切换该资料。不同的状况具有不同的电阻，可用于存储数据。
抱负的存储设备或所谓的一致存储器将一起满意三个要求：高速，高密度和非易失性（保存）。在现在，这样的内存没有开发。
浮栅非易失性半导体存储器（NVSM）具有高密度和保存才能，可是其编程/擦除速度较低。
DRAM具有高速度（大约10 ns）和高密度，但它易失。另一方面，SRAM具有极高的速度（约5 ns），但遭到极低的密度和挥发性的约束。
估计PCM将具有比其他新式技能更好的可伸缩性。
RRAM是类似于PCM的非易失性存储器。该技能概念是使一般绝缘的电介质经过施加足够高电压后构成的灯丝或导电途径导通。可以说，这是一种忆阻器技能，RRAM应被视为应战NAND闪存的强壮候选者。
现在，FRAM，MRAM，PCM和PCM已投入商业出产，但相关于DRAM和NAND闪存，依然仅限于特别使用。有人以为，MRAM，STT-RAM和RRAM是最有出路的新式技能，但间隔为职业选用而竞赛还差很多年。
任何新技能都必须可以供给大多数以下特点，才有可能以大规模推进职业选用：该技能的可扩展性，设备的速度和功耗要优于现有的存储器。
NVSM启发了人们对新式非易失性存储器的知道，这将成功地导致一致存储器的完成和商业化。
*原文地址http://www.chinastor.com/baike/memory/0319441W2020.html
