跟着现代电科技设备的日趋杂乱，原有的电源现已无法再满意人们的需求。大功率特种电源便应运而生，而其间较为重要的，便是IGBT技能。假如想要全面保险的进步IGBT的可靠性，就需求从多个方面来下手。本文就将从输出逻辑可靠性这一层面来为我们解说怎么进步IGBT的可靠性。
关于输出逻辑方面的可靠性进步，首要包含存储器逻辑过错方面的一些主张和驱动板装置方位的主张。在研制大功率IGBT驱动器的进程中，驱动器自身的状况锁存器有时会产生逻辑回忆过错。导致驱动器输出的逻辑过错。经过对电路的优化，在实验中就没有再遇到过相似的问题。但这只能阐明体系的抗扰阈值进步了。这个毛病呈现的可能性恐怕不能从根本上被防止。
因而人们很简略联想到单片机体系不可防止的程序跑飞和死机等问题。不论体系规划多么好，也不能肯定防止这些现象。仅仅概率很低罢了。关于高端的大功率IGBT驱动器，运用脉冲变压器进行阻隔的方式似乎是当时遍及选用的办法。而这种方式有必要要在输出端一侧运用逻辑锁存器来记载当时的逻辑状况。当接收到阻隔变压器发来的脉冲信号后再进行逻辑翻转。一旦这个和IGBT共地的电路体系忽然呈现相似于单片机体系的逻辑过错，导致IGBT的失效。那么在过后的毛病剖析中，估量也很难发现是驱动器的原因。
当然把这种现象与单片机体系比较，也不完全合理。首要，有利的一面是逻辑体系究竟比单片机体系简略许多。因而被扰动的概率要相对低一些。特别这个体系其实并不会由于瞬态的逻辑过错导致严峻毛病。因而只需确保逻辑回忆这一个环节不出问题即可。可是晦气的一面是，它和能量巨大且作业于开关状况的IGBT有直接的电气衔接。并且在开关进程导致的电位改变进程中，会有很强的瞬间电流为这个电路弥补电荷以到达新的电位。这是很强的搅扰。比较之下，在处理数模混编电路的时分。连数字地和模仿地都要分隔，以防止搅扰。就显得是很奢华的做法了。
所以提示规划驱动电路的朋友要注意电磁兼容问题。特别是逻辑状况锁存器的可靠性。而关于直接使用制品驱动器的朋友，有如下几点主张：
首要尽量防止驱动器与IGBT的直接衔接。一般人们习惯于驱动器输出串接门极电阻到IGBT的门极(MOSFET的栅极)而输出端的地直接与IGBT射极(MOSFET的源极)相连。最好的办法是将门极电阻分红两个串联的电阻，一个串接在门极与输出端，一个串接在射极与输出端地。(关于上升下降沿别离对应一个门极电阻的状况。也能够分出一个公共的电阻串接在射极与输出地之间。)
别的一个方面，主张驱动器输出侧电路板平面的装置方位尽量与间隔最近的大电流走线方向坚持笔直(也便是与电路板上的线路笔直)，这样能够尽量防止电磁耦合。
本文用了较长的篇幅来讨论输出逻辑，为读者剖析了怎么经过对输出逻辑进行优化与改造，到达提高IGBT可靠性的意图。当然，对IGBT功能的提高不仅仅依托这一点便能完成，更多的是需求多特点的合作，小编在之后的文章中将为我们带来更多的相关内容。
