观看视频系列，“了解您的栅极驱动器”。 栅极驱动器尽管常常被忽视，可是它在电源和电机操控体系等体系中发挥着很重要的作用。我喜爱把栅极驱动器比作肌肉!该视频系列说明晰栅极驱动器的作业原理，并要点介绍了要害的栅极驱动器参数。触及的主题包含负电压处理、推迟匹配、宽VDD和作业温度规模等。这篇博文将更全面地解说这些主题。
负电压
栅极驱动器中的负电压处理是指接受输入和输出端负电压的才能。这些不必要的电压可能是由于开关转化、走漏或布局不良引起的。栅极驱动器的负电压接受才能关于稳健牢靠的解决方案至关重要。
图1显现了TI栅极驱动器怎么处理很多的下冲和过冲产生的负电压，避免集成电路遭到损坏。
图 1：负反向电压处理
推迟匹配
推迟匹配是一项衡量标准用于表明通道之间的内部传达推迟的匹配准确度。如果在两个通道的输入端一起施加一个信号，则两个通道输出的时间推迟是推迟匹配数值。推迟匹配数值越小，栅极驱动器能够完成的功能越好。
推迟匹配有两个首要优点：
·保证一起驱动的并联MOSFET具有最小的导通推迟差。
·简化了栅极驱动器输出的并联，可有用倍增电流才能，一起简化并联电源开关的驱动。
TI的UCC27524A具有十分准确的1ns(典型值)推迟匹配，可将驱动电流从5A增加到10A。图2显现的 UCC27524A的A和B通道组合在一个驱动器中。INA和INB输入端衔接在一起，OUTA和OUTB相同如此。一个信号操控并联组合。
图 2：并联输出并可倍增驱动电流的UCC27524A
准确推迟匹配的作用之一是进步功率密度。阻隔电源、DC/DC模块和太阳能逆变器的功率因数校对(PFC)和同步整流模块等运用都需求更高的功率密度，而关于相同的输出功率，规划者的挑选一般仅限于相同或更小的尺度。
宽VDD规模
当我说到“宽VDD规模”时，我指的是衔接到MOSFET的漏极的正电源电压或衔接到绝缘栅双极晶体管(IGBT)集电极的正电源电压。关于栅极驱动器，VDD界说驱动器输出的规模。
宽VDD规模有三个优点：
·为您的体系规划供给灵敏性，能够运用具有不同作业电压的同一驱动器和不同类型的电源开关。
·在有噪声的环境中或在运用低质量的电源时十分牢靠，可有用避免体系被过冲或下冲损坏。
·具有宽VDD规模的驱动器可用于分离轨体系，例如驱动具有正和负电源的IGBT。
整体而言，宽VDD规模使您能够在极点条件下灵敏地进行体系规划，供给高牢靠性。
作业温度规模
一个常常被忽视的细节是栅极驱动器的测验条件。一般会看到在室温(25°C)下测验栅极驱动器。在整个作业温度规模内列出了标准最小和最大值，并添加了计算维护带。
不要忽视作业温度规模，由于当温度保持在-40°C至125°C时，与在室温下比较，最小和最大标准可能会产生明显的改变。大多数TI栅极驱动器器材的温度规模为-40°C至125°C或140°C。 这在极点温度下供给了共同的功能和稳定性。考虑数据表中的这些细节，能够更轻松地挑选正确的栅极驱动器。
正如您所见，在挑选体系的栅极驱动器时，需求考虑许多参数。请观看咱们的视频系列，并在德州仪器在线技术支持社区 中提出任何问题。
