跟着半导体制程技能的不断演进，以及集成电路很多的运用在电子产品中，静电放电已经成为影响电子产品良率的主要因素。美国最近发布因为静电放电而造 成的国家丢失，一年就高达两百多亿美金，而光是电子产品部份就到达一百多亿美金之多。为了有用的防备静电放电所形成的危害，国际间很多的静电放电协会，别离针对不同的环境运用下拟定了不同的静电测验标准。其间针对IC在出产、制作、测验及运送进程的静电放电标准，是以美国军方所拟定的人体静电放电模型最具 代表性，又称之为芯片层级静电放电测验。而针对终端顾客所运用的电子产品，则以IEC 61000-4-2所拟定的人体静电放电模型为测验干流，这便是一般认知的体系层级静电放电测验。
因为芯片层级和体系层级静电放电测验都是模仿人体静电放电，而且都是以kV为单位，所以常常形成咱们的误解和困惑，咱们在这里特别将这两种人体静电放电测验标准做一个比较收拾：
模型电容电阻值标准不同：芯 片层级静电放电模型为对一100pF电容充电后透过一串联1.5kΩ电阻对待测物放电。而体系层级静电放电模型为对一150pF%&&&&&%充电后透过一串联 330Ω电阻放电。由此能够看出在相同的静电电压下，体系层级静电放电模型将会具有较多的电荷容量和较大的放电电流，其放电能量约为芯片层级静电放电能量 的五倍之多，因而体系层级静电放电测验将会比芯片层级静电放电测验还要更苛刻。而会如此标准的原因是，晶圆厂都会做工厂静电消除办理，所以IC在制作出产 的进程中遭到静电的要挟较小。而电子产品用户所在的环境却是不受操控的，因而遭到静电放电的要挟较大，这也是为何体系层级静电放电标准会拟定的如此严厉。
要求的静电放电电压等级不同：一般IC只会要求到芯片层级静电放电测验±2kV，而电子产品会要求到体系层级静电放电触摸测验±8kV，空气放电±15kV。会这样标准的主要原因也是电子产品所在的环境是比IC所在的环境还要更苛刻。
测验的失效原则不同：芯片层级静电放电测验是在IC针脚浮接的状况下做测验，一般形成的危害为硬件的危害。而体系层级静电放电测验是在电子产品上电运作的状况，除了或许形成硬件 的危害，也有或许形成当机或体系运作不稳定的状况。体系层级静电放电测验的失效问题是比芯片层级静电放电测验还要多更多。
以上便是体系层级 静电放电和芯片层级静电放电的根本差异，能够发现不论是在放电能量、静电电压和失效原则，体系层级都较芯片层级静电放电要求更严峻。跟着电子产品要求高质 量的方针，体系层级静电放电的失效原则要求更有提高到Class A的趋势，这样更加深了体系静电放电规划工作人员的困难度。日前听闻国际上一些%&&&&&%大厂为了加快产品上市量产的时刻，有意将芯片层级静电放电要求电压下降 到±1kV，如此一来将更形成电子产品经过体系层级静电放电测验的困难度。因而了解体系层级和芯片层级静电放电标准的不同，和选用更高效能的瞬时按捺组 件，才干因应未来更严厉的体系静电放电测验要求。
