LED芯片制作工序
了取得大功率LED器材，有必要预备一个适宜的大功率LED面板灯芯片。国际社会通常是大功率LED芯片的制作办法归纳如下：
①添加发光的巨细。单一的LED发光区域和有效地添加活动的电流量，经过均匀分布层TCL，以到达预期的磁通。可是，简略地增大发光面积不处理这个问题，散热问题，不能到达预期的作用和实践运用中的磁通量。
②硅底板倒装法。共晶焊料首要，预备一个大的LED面板灯芯片，并预备一个适宜的尺度，在硅衬底和硅衬底，运用金的共晶钎料层和导电层导体(超声波金丝球窝接头)，以及运用所述移动设备的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺度的硅衬底。这样的结构愈加合理，不只要考虑这个问题，考虑到光与热的问题，这是干流的大功率LED出产。 Lumileds公司，美国在2001年开发出了不同的倒装芯片的电源的AlGaInN(FCLED)结构，制作进程：榜首P型氮化镓外延膜沉积在顶部的层厚度超越500A，并回来的反射Niau的欧姆触摸，然后挑选性地蚀刻，运用掩模，在P型层和多量子阱有源层，显露N型层淀积，蚀刻后构成的N型欧姆触摸层1的1mm×1mm的一侧的P型欧姆触摸，N型欧姆触摸以梳状刺进其间，芯片尺度，从而使当时的扩展间隔能够缩短，以尽量削减支撑和铟镓铝氮化物扩散阻力的ESD维护二极管(ESD)的硅芯片设备倒置焊锡凸块。
③陶瓷板倒装法。通用设备的晶体结构的LED面板灯芯片的LED芯片的下一个大的，在陶瓷板和陶瓷基板的共晶钎料层和导电层，在该区域发生的相应的引线，焊接电极中运用水晶LED芯片和大标准陶瓷薄板焊接的焊接设备。这样的结构是需求考虑的问题，也是需求考虑的问题，光，热，运用高导热陶瓷板，陶瓷板，散热作用非常好，价格也比较低，更适合为当时的根本包装资料和空间保留给将来的集成电路一体化。
④蓝宝石衬底过渡办法。在蓝宝石衬底除掉后的PN结的制作商，在蓝宝石衬底上成长InGaN芯片，然后再衔接的传统的四元资料，制作大型结构的蓝色LED芯片的下部电极上，经过惯例的办法。
⑤AlGaInN的碳化硅(SiC)背面光的办法。美国Cree公司是世界上仅有的碳化硅基板的AlGaInN超高亮度LED制作商，多年来出产的AlGaInN / SICA芯片的架构不断完善和添加亮度。因为在P型和N型电极别离坐落该芯片的顶部和底部，运用一个单一的引线键合，较好的相容性，易用性，因此成为干流产品的开展AlGaInNLED另一个。
