晶体/陶瓷振动器根本电路
以下是晶体/陶瓷振动器的两个使用电路。
阐明 1. 内部偏压电阻RINB，用于产生振动器的作业点。
2. 内部振动器电容CIN1 和CIN2，与外部晶体/陶瓷振动器合作构成Pierce 振动器。振动时，晶体/陶瓷振动
器可以看作是等效电感，该电路还可以下降EMI。
3. 外部偏压电阻REXB，用于低压停振操控的特别使用，需合作CEX1 使REXB×CEX1 大于2πfSYS。首要原
理是加大振动电路的负载，在低压时使振动器停振，使MCU 不会产生低电压作业过错的景象。如果实
际使用中没有用到低电压景象，该电阻可以省掉。
4. 外部振动器电容CEX1 和CEX2，用于振动频率微调或晶体/陶瓷振动器匹配，并可用于调整起振时刻，正
常使用时可省掉。
5. 在HOLTEK MCU 的datasheet 和handbook 的使用电路中，都有供给匹配的电阻%&&&&&%值供使用者参阅。
晶体/陶瓷振动器Warm-up 时刻
• 晶体/陶瓷振动器在起振前所需的温机(Warm-up)时刻。
• 当时刻长短与晶体/陶瓷振动器的特性及停振(冷却)时刻长短有关，一般在冷机状态下，温机时刻约为3~5ms。
体系start-up 定时器
• 为了让振动器可以安稳起振所需求的延时时刻。
• 当时刻为1024 个振动器振动周期。
EMI/EMS(EMC)注意事项
• 晶体/陶瓷振动器需放置最接近于MCU 的振动器引脚，即其连线应最短。
• 为减小EMI，晶体/陶瓷振动器的引脚应有VDD 或GND(VSS)环路做屏蔽。
• CEX1 和CEX2 所接的VDD 或GND(VSS)，其到MCU 的VDD 或GND(VSS)连线应最短。
