Tessera Technologies, Inc.旗下全资子公司Invensas Corporation今日宣告，将在本月中旬的Intel举行旧金山秋季IDF 2011上展现自己的新式多die面朝下内存封装技能“xFD”，比传统的双die封装方法(DDP)更进一步。或许在未来的某一天，咱们将可以看到只要两颗甚至一颗芯片的内存条了。
xFD全称multi-die face-down，是一种根据焊线(wirebond)的多die封装技能，将多颗DRAM IC以面朝下的方法封装在一颗芯片内，并选用相似windows-BGA封装的短焊线结构，声称：
– 提高容量，全体元件尺度比传统计划缩小25-35%，首要是笔直高度大大下降;
– 增强电气功能，一起由于上下die功能均衡而可将良品率提高50-70%;
– 比传统双die封装(DDP)热传输功率提高20-30%。
xFD技能现在有两种方法，一是“DFD”(Dual Face Down)，单芯片封装两颗x4/x8/x16 DRAM die，其间x4/x8版别选用104 BGA封装，尺度11.5×11.5毫米，x16版别选用136 BGA封装，尺度11.5×11.5毫米或许11.5×14毫米。
二是“QFD”(Quad Face Down)，单芯片封装四颗x8/x15 DRAM die，256 BGA封装，尺度16.2×16.2毫米。
假如你忧虑这种封装下的内存功能的话，Invensas公司声称其可在2133MHz高频率下运转，并且经过了彻底调试和认证。
Invensas xFD封装技能首要面向服务器、数据中心、笔记本和其它移动设备，但何时可以出现在市面上还不得而知。
