ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在体系中止供电的时分依然能够坚持数据，而RAM一般都是在掉电之后就丢掉数据，典型的RAM便是计算机的内存。
RAM
有两大类，一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度十分快，是现在读写最快的存储设备了，可是它也十分贵重，所以只在要求很严苛的当地运用，比方CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保存数据的时刻很短，速度也比SRAM慢，不过它仍是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM比较SRAM要廉价许多，计算机内存便是DRAM的。 DRAM分为许多种，常见的首要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这儿介绍其间的一种DDR RAM。
DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是底子相同的，不同之处在于它能够在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是现在电脑中用得最多的内存，并且它有着本钱优势，事实上打败了Intel的别的一种内存规范-Rambus DRAM。在许多高端的显卡上，也装备了高速DDR RAM来进步带宽，这能够大幅度进步3D加速卡的像素烘托才干。
内存作业原理：
内存是用来寄存其时正在运用的(即履行中)的数据和程序，咱们往常所说到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的"动态"，指的是当咱们将数据写入DRAM后，经过一段时刻，数据会丢掉，因而需求一个额外设电路进行内存改写操作。详细的作业进程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0仍是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时刻一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这便是数据丢掉的原因;改写操作定时对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2，则以为其代表1，并把电容充满电;若电量小于1/2，则以为其代表0，并把电容放电，藉此来坚持数据的连续性。
ROM
也有许多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者差异是，PROM是一次性的，也便是软件灌入后，就无法修改了，这种是前期的产品，现在现已不行能运用了，而EPROM是经过紫外光的照耀擦出原先的程序，是一种通用的存储器。别的一种EEPROM是经过电子擦出，价格很高，写入时刻很长，写入很慢。
举个比方，手机软件一般放在EEPROM中，咱们打电话，有些最终拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是立刻写入经过记载(通话记载保存在EEPROM中)，因为其时有很重要作业(通话)要做，假如写入，绵长的等候是让用户深恶痛绝的。
DRAM
运用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会悉数的丢掉，因为栅极会漏电，所以每隔必定的时刻就需求一个改写组织给这些栅电容弥补电荷，并且每读出一次数据之后也需求弥补电荷，这个就叫动态改写，所以称其为动态随机存储器。因为它只运用一个MOS管来存信息，所以集成度能够很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。
SRAM
运用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，材料就会悉数丢掉，只需供电，它的材料就会一向存在，不需求动态改写，所以叫静态随机存储器。
以上首要用于体系内存储器，容量大，不需求断电后仍保存数据的。
PSRAM
PSRAM ，假静态随机存储器。具有一个单晶体管的DRAM贮存格，与传统具有六个晶体管的SRAM贮存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM贮存格大不相同，但它具有类似SRAM的安稳接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6TSRAM优异的利益，例如体积更为轻盈，价格更具竞争力。现在在全体SRAM商场中，有90%的制造商都在出产PSRAM组件。在曩昔两年，商场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。
底子原理：PSRAM便是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒类似，但外部的接口跟SRAM类似，不需求SDRAM那样杂乱的操控器和改写机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是相同的。
PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高许多的，速度支撑突发方式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY等厂家都有供给，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM廉价许多。
PSRAM首要运用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(选用6T的技能)比较,PSRAM选用的是1T+1C的技能,所以在体积上更小,一起,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,现在有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低许多。所以关于要求有必定缓存容量的许多便携式产品是一个抱负的挑选。
FLASH
存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的利益，不只具有电子可擦除可编程(EEPROM)的功能，还不会断电丢掉数据一起能够快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的便是这种存储器。在曩昔的20年里，嵌入式体系一向运用ROM(EPROM)作为它们的存储设备，可是近年来Flash全面替代了ROM(EPROM)在嵌入式体系中的位置，用作存储Bootloader以及操作体系或许程序代码或许直接当硬盘运用(U盘)。
Flash ROM
是运用浮置栅上的电容存储电荷来保存信息，因为浮置栅不会漏电，所以断电后信息依然能够保存。也因为其组织简略所以集成度能够做的很高，容量能够很大。Flash rom写入前需求用电进行擦除，并且擦除不同与EEPROM能够以byte(字节)为单位进行，flash rom只能以sector(扇区)为单位进行。不过其写入时能够byte为单位。flash rom首要用于bios，U盘，Mp3等需求大容量且断电不丢数据的设备。
现在Flash首要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和咱们常见的SDRAM的读取是相同，用户能够直接运转装载在NOR FLASH里边的代码，这样能够削减SRAM的容量然后节省了本钱。
NAND Flash没有采纳内存的随机读取技能，它的读取是以一次读取一块的方式来进行的，一般是一次读取512个字节，选用这种技能的Flash比较廉价。用户不能直接运转NAND Flash上的代码，因而许多运用NAND Flash的开发板除了运用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运转发动代码。 一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作体系等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH运用是嵌入式体系选用的DOC(Disk On Chip)和咱们一般用的"闪盘"，能够在线擦除。现在市面上的FLASH 首要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而出产NAND Flash的首要厂家有Samsung和Toshiba。
NAND Flash和NOR Flash的比较
NOR和NAND是现在商场上两种首要的非易失闪存技能。Intel于1988年首先开宣布NOR flash技能，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM统一天下的局势。紧接着，1989年，东芝公司宣布了NAND flash结构，着重下降每比特的本钱，更高的功能，并且象磁盘相同能够经过接口轻松升级。可是经过了十多年之后，依然有适当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。象"flash存储器"常常能够与相"NOR存储器"交流运用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技能相关于NOR技能的优胜之处，因为大多数情况下闪存仅仅用来存储少数的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的抱负处理计划。
NOR是现在商场上首要的非易失闪存技能。NOR一般只用来存储少数的代码;NOR首要运用在代码存储介质中。NOR的特点是运用简略、无需专门的接口电路、传输效率高，它是归于芯片内履行(XIP, eXecute In Place)，这样运用程序能够直接在(NOR型)flash闪存内运转，不用再把代码读到体系RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的本钱效益，可是很低的写入和擦除速度大大影响了它的功能。NOR flash带有SRAM接口，有满足的地址引脚来寻址，能够很简单地存取其内部的每一个字节。NOR flash占有了容量为1～16MB闪存商场的大部分。
NAND结构能供给极高的单元密度，能够到达高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。运用NAND的困难在于flash的办理和需求特别的体系接口。
1、功能比较:
flash闪存对错易失存储器，能够对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器材的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前有必要先履行擦除。NAND器材履行擦除操作是十分简略的，而NOR则要求在进行擦除前先要将方针块内一切的位都写为1。
因为擦除NOR器材时是以64～128KB的块进行的，履行一个写入/擦除操作的时刻为5s，与此相反，擦除NAND器材是以8～32KB的块进行的，履行相同的操作最多只需求4ms。履行擦除时块尺度的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的功能距离，计算标明，关于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作有必要在根据NOR的单元中进行。这样，当挑选存储处理计划时，设计师有必要权衡以下的各项要素：
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快许多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需求先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
(注：NOR FLASH SECTOR擦除时刻视品牌、巨细不同而不同，比方，4M FLASH，有的SECTOR擦除时刻为60ms，而有的需求最大6s。)
2、接口不同:
NOR flash带有SRAM接口，有满足的地址引脚来寻址，能够很简单地存取其内部的每一个字节。
NAND器材运用杂乱的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的办法或许各不相同。8个引脚用来传送操控、地址和数据信息。
NAND读和写操作选用512字节的块，这一点有点像硬盘办理此类操作，很自然地，根据NAND的存储器就能够替代硬盘或其他块设备。
3、容量和本钱:
NAND flash的单元尺度几乎是NOR器材的一半，因为出产进程更为简略，NAND结构能够在给定的模具尺度内供给更高的容量，也就相应地下降了价格。
NOR flash占有了容量为1～16MB闪存商场的大部分，而NAND flash仅仅用在8～128MB的产品傍边，这也阐明NOR首要运用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡商场上所占比例最大。
4、牢靠性和耐用性:
选用flahs介质时一个需求要点考虑的问题是牢靠性。关于需求扩展MTBF的体系来说，Flash是十分适宜的存储计划。能够从寿数(耐用性)、位交流和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的牢靠性。
A) 寿数(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺度要比NOR器材小8倍，每个NAND存储器块在给定的时刻内的删去次数要少一些。
B) 位交流
一切flash器材都受位交流现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND产生的次数要比NOR多)，一个比特(bit)位会产生回转或被陈述回转了。一位的改变或许不很显着，可是假如产生在一个要害文件上，这个小小的毛病或许导致体系停机。
假如仅仅陈述有问题，多读几回就或许处理了。当然，假如这个位真的改变了，就有必要选用过错勘探/过错更正(EDC/ECC)算法。位回转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供给商主张运用NAND闪存的时分，一起运用EDC/ECC算法。这个问题关于用NAND存储多媒体信息时倒不是丧命的。当然，假如用本地存储设备来存储操作体系、配置文件或其他灵敏信息时，有必要运用EDC/ECC体系以保证牢靠性。
C) 坏块处理
NAND器材中的坏块是随机散布的。曾经也曾有过消除坏块的尽力，但发现成品率太低，价值太高，底子不划算。NAND器材需求对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不行用。在已制成的器材中，假如经过牢靠的办法不能进行这项处理，将导致高毛病率。
5、易于运用:
能够十分直接地运用根据NOR的闪存，能够像其他存储器那样衔接，并能够在上面直接运转代码。
因为需求I/O接口，NAND要杂乱得多。各种NAND器材的存取办法因厂家而异。
在运用NAND器材时，有必要先写入驱动程序，才干持续履行其他操作。向NAND器材写入信息需求适当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器材上从头到尾都有必要进行虚拟映射。
6、软件支撑:
当评论软件支撑的时分，应该差异底子的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存办理算法的软件,包含功能优化。在NOR器材上运转代码不需求任何的软件支撑，在NAND器材进步行相同操作时，一般需求驱动程序，也便是内存技能驱动程序(MTD)，NAND和NOR器材在进行写入和擦除操作时都需求MTD。运用NOR器材时所需求的MTD要相对少一些，许多厂商都供给用于NOR器材的更高档软件，这其间包含M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所选用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的办理，包含纠错、坏块处理和损耗平衡。
NOR FLASH的首要供给商是INTEL ,MICRO等厂商，曾经是FLASH的干流产品，但现在被NAND FLASH挤的比较难过。它的长处是可 以直接从FLASH中运转程序，可是工艺杂乱，价格比较贵。
NAND FLASH的首要供给商是SAMSUNG和东芝，在U盘、各种存储卡、MP3播放器里边的都是这种FLASH，因为工艺上的不同，它比NOR FLASH具有更大存储容量，并且廉价。但也有缺点，便是无法寻址直接运转程序，只能存储数据。别的NAND FLASH十分简单呈现坏区，所以需求有校验的算法。
在掌上电脑里要运用NAND FLASH 存储数据和程序，可是有必要有NOR FLASH来发动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的干流处理器还不支撑直接由NAND FLASH 发动程序。因而，有必要先用一片小的NOR FLASH 发动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运转才行，挺费事的。
