多年来这个规律一直在发挥效果。第一个集成电路(由德州仪器的杰克•基尔比发明，见图)还仅仅一个蠢笨不胜的大家伙，而现在晶体管已需用纳米(1米的十亿分之一)来计量。人们以摩尔规律的开展速度发明了快速而智能化的计算机，图画美丽并将世界联接在了一同。从摩尔博士创建这个规律的时分起，人类就进入了一个难以想象的信息技能年代。原本一个不经意的发现竟有如此强壮的生命力。
其实它并不是一条真实的规律，而仅仅一种现象，一种对技能开展漫漫征途的描绘，开展的每一步都包含着详细的技能革新(见图表)。技能开展势不行挡，已成预言般的信条。晶体管的每一次“缩身”，都是朝着它们的最小尺度迈进了一步。假如按此规律持续开展， 20年之内，晶体管将会与几个单晶硅原子巨细适当。
说得更准确一点，晶体管现已很小很小，在这样巨细的空间中每个原子都变得无足轻重。原子太少它们之间的绝缘性消失，或许因 “量子隧穿”现象(一种电子天然消失、并在他处重现的现象)将电流走漏到本不应流向的当地。不适当品种的原子太多效果相同不妙，这会影响晶体管的导电性。因而工程人员正在尽力从头规划晶体管。这样看来，摩尔的预言在未来的一段时刻里还将持续有用。
原子核母板
晶体管实际上是一个电子操控的转换器，它由4部分组成：源极(电流从该极流入)，漏极(电流从这儿流出)，(衔接源极和漏极的)沟道以及栅极(经过电压的改动操控通道的开关)。在传统的晶体管中，这些组件都散布在同一个平面上。要防止漏电，一种思路便是把晶体管改为三维规划。
制作一个从母体芯片上伸出来的晶体管能够使许多组成原子的安置愈加有用，特别是那些构成了通道和栅极的原子。将通道外伸、三面围以栅极原子，这样就能够增加栅极的表面积，更好地操控通道，并削减走漏。在导通状态下，晶体管栅极的功用越是优秀，经过的电流就越大。
五月份，美国闻名的芯片巨子英特尔(摩尔博士也是该公司创建人之一)宣告一项方案，对这种营销时冠以“三栅极”的技能设备进行商业性开发。公司估计，新晶体管将于本年晚些时分问世，这种晶体管比现有的晶体管省电一半，特别适合于笔记本电脑运用，究竟，电池寿数是笔记本电脑的一大卖点。
全面改用三维形式，这在一个老练的行业界很难推行，究竟他们的二维形式现已老练。包含美国公司Globalfoundries、英国公司ARM在内的绝缘硅联合会，企图把进步平板晶体管作为他们的一个代替方案，该联合会的技能是把在一个纯硅片薄层内部制作晶体管，这层纯硅下面是一个绝缘层，再下面是一个规范晶片，这个规范晶片被用作基底，用来安放晶体管。这种办法要把晶体管的沟道做得满足薄，使栅极发生的电磁场能够透过整个沟道，进步栅极所能发挥的最大操控力。但这种办法迫使绝缘硅联合会有必要面临晶体管尺度不断缩小而发生的第二个问题：违背正常方位的原子要么太多，要么太少。
为了改进电子功用，制作晶体管所用的硅资料中常需掺入其他元素 。最新的晶体管尺度十分小，在其沟道中掺杂只需往硅中注入少数杂质原子，假如这个量把握得欠好，晶体管的正常运转就会遭到影响。但制作过程中的误差使得这种要求很难到达。绝缘硅联合会期望运用的超薄沟道掺入杂质的工艺极端困难，因而，他们决议不向硅中掺入杂质，而用纯洁硅来制作晶体管的沟道。但这要求硅层厚度不能超过5纳米。而且在整个晶片上这个厚度简直要保持一致，英特尔公司(应当供认，它并不是一个平心静气的旁观者)认为，如此精准的规范，肯定会增加晶体管的制作本钱。
SuVolta是硅谷的一家小公司，他们提出了另一种办法。他们方案制作的平板晶体管通道也不掺入杂质。但这家公司计划运用价格低廉的传统硅晶片，而不用改动晶片的成分，不用制作绝缘硅联合会要求的超薄沟道，他们的过人之处在于，在沟道的下面增加一个栅极。两个栅极一起效果就能够操控没有增加杂质而且厚度不行小的沟道。就这样，功用更好而能耗更低的晶体管就发生了，该公司表明，它的能耗削减到只要传统类型的晶体管能耗的一半，而功用上并没有丢失。SuVolta此举激起了日本电子巨子富士通的极大爱好，现在他们已具有这项技能的出产答应。
还有多少开展空间
所有这些办法都意味着摩尔规律至少在未来几年内还会持续发挥效果。数百位专家每年都要对半导体世界技能路线图进行更新。他们猜测，规范晶体管的横向尺度到2013年将减小到16纳米(现在是32纳米)，到2015年还将减小到11纳米。要想进一步缩小就需要一个概念上的腾跃。有幸的是，现已有了几个这样的挑选。
一个最有远景的办法上一年已由考林吉带领的爱尔兰廷德尔国家研究所描绘出来。他们宣告一篇论文，宣告他们现已发明出无接晶体管。这一办法早在1925年就由一位名叫朱利叶斯•利林菲尔德的物理学家取得专利，但直到现在，它的制作依然是个难题。
晶体管衔接处的双面是掺入了导电电子(由于电子带有负(negative)电荷，因而被称为n型资料)的硅片，而p型区域的晶格中掺入了带有正电的空穴，这些空穴由电子的游离而发生。还有一些三极管，源极和漏极都是p型，沟道是n型。在其他状况下，状况正好相反。在n型和p型的结合处，硅的效果就像一个阀门，防止电流流向相反的方向。
但是，晶体管越小，制作PN结的难度就越大，这也是遭到了掺入元素浓度动摇的影响。考林吉博士的规划——相似英特尔的三栅极，在一个独自的、超薄的硅导线周围盘绕一个三维栅极——为防止这种状况，整个晶体管悉数选用一种比惯例平板晶体管所用的半导体掺入元素浓度更大的半导体来制作。规划中含有一个极薄的沟道，就像阀门相同，断路时载流子(比方，自由电子或空穴)悉数消失，通路时充溢这种载流子。它的尺度相同应该能够缩小。廷德尔研究院的研究人员上一年陈述说，经过对这种原子摆放的无接晶体管进行计算机模仿显现他们的运转状况无缺，而且它的栅极长度只要3.1纳米。
这种栅极长度会使摩尔规律在未来几年将持续发挥效果，尔后，摩尔规律要想持续发挥效果，就要求有更多的立异思想。比方，很多的学术人员和工程人员正在考虑，怎么制作出这样一种晶体管，使得量子沟道成为一种特征，而不是一种缺点。依据量子理论，电子只要在某个能量级才干取得，这就意味着使用隧穿效应的晶体管或许直接从从弱电流通至强电流，而且不要预热时刻。
这也许是一个不错的主意。晶体管的巨细遭到单原子巨细的限制，在这种状况下，还不知这是否便是工程人员最终一个即兴之举。当摩尔博士宣告这一规律时，他本认为规律或许会在10年内有用。具有不行抵抗力气的人类发明力保证摩尔规律的寿数比料想的大大延长了，但这种力气现在正面临着原子物理学难以逾越的妨碍。这真是一场引人入胜的比赛。
