场效应管效果的特色及作业原理
场效应管是只需一种载流子参加导电，用输入电压操控输出电流的半导体器材。有N沟道器材和P沟道器材。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET。
MOS场效应管有加强型（EnhancementMOS或EMOS）和耗尽型（MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：D（Drain）称为漏极，适当双极型三极管的集电极；G（Gate）称为栅极，适当于双极型三极管的基极；S（Source）称为源极，适当于双极型三极管的发射极。
加强型MOS（EMOS）场效应管道加强型MOSFET根本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺分散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底（substrat），用符号B表明。
作业原理
1．沟道构成原理应Vgs=0V时，漏源之间适当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压，不会在D、S间构成电流。
当栅极加有电压时，若0＜Vgs＜Vgs（th）时（VGS（th）称为敞开电压），通过栅极和衬底间的电容效果，将接近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方架空，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，缺少以构成沟道，所以仍然缺少以构成漏极电流ID。
进一步添加Vgs，当Vgs＞Vgs（th）时，因为此刻的栅极电压从前比较强，在接近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以构成沟道，将漏极和源极交流。假设此刻加有漏源电压，就可以构成漏极电流ID。在栅极下方构成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层（inversionlayer）。跟着Vgs的持续添加，ID将不时添加。
在Vgs=0V时ID=0，只需当Vgs＞Vgs（th）后才会出现漏极电流，这种MOS管称为加强型MOS管。
VGS对漏极电流的操控联系可用iD=f（vGS）|VDS=const这一曲线描绘，称为搬运特性曲线，见图。
搬运特性曲线斜率gm的巨细反映了栅源电压对漏极电流的操控造用。gm的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。
跨导的界说式如下：gm=△ID/△VGS|（单位mS）
