光晶体管

光晶体管
光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器材构成的光电器材。光在这类器材的有源区内被吸收，发生光生载流子，经过内部电扩大组织，发生光电流增益。光晶体管三端作业，故简单完成电控或电同步。光晶体管所用资料一般是砷化镓（CaAs），首要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器材。双极型光晶体管一般增益很高，但速度不太快，关于GaAs-GaAlAs，扩大系数可大于1000，呼应时刻大于纳秒，常用于光探测器，也可用于光扩大。场效应光晶体管呼应速度快(约为50皮秒)，但缺陷是光敏面积小，增益小（扩大系数可大于10），常用作极高速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器材，其特色均是速度快（呼应时刻几十皮秒）、适于集成。这类器材可望在光电集成中得到使用。