薄膜太阳能电池优缺陷
薄膜型太阳能电池因为运用资料较少，就每一模块的本钱而言比起堆积型太阳能电池有着显着的削减，制作程序上所需的能量也较堆积型太阳能电池来的小，它一起也具有整合型式的衔接模块，如此一来便可省下了独立模块所需在固定和内部衔接的本钱。未来薄膜型太阳能电池将可能会替代如今一般常用硅太阳能电池，而成为商场干流。非晶硅太阳能电池与单晶硅太阳能电池或多晶硅太阳能电池的最主要差异是资料的不同，单晶硅太阳能电池或多晶硅太阳能电池的资料都疏，而非晶硅太阳能电池的资料则是SiH4，因为资料的不同而使非晶硅太阳能电池的结构与晶硅太阳能电池稍有不同。
SiH4最大的长处为吸光作用及光导作用都很好，但其电气特性相似绝缘体，与硅的半导体特性相差甚远，因而开始以为SiH4是不适合的资料。但在1970年代科学家克服了这个问题，不久后美国的RCA制作出第一个非晶硅太阳能电池。尽管SiH4吸光作用及光导作用都很好，但因为其结晶结构比多晶硅太阳能电池差，所以悬浮键的问题比多晶硅太阳能电池还严峻，自由电子与电洞复合的速率十分快；此外SiH4的结晶结构不规则会阻止电子与电洞的移动使得分散规模变短。根据以上两个要素，因而当光照射在SiH4上发生电子电洞对后，有必要尽快将电子与电洞别离，才干有用发生光电效应。所以非晶硅太阳能电池大多做得很薄，以削减自由电子与电洞复合。因为SiH4的吸光作用很好，尽管非晶硅太阳能电池做得很薄，依然能够吸收大部分的光。
非晶硅薄膜型太阳能电池的结构不同于一般硅太阳能电池，如图9所示，其主要可分为三层，上层为十分薄（约为0.008微米）且具有高掺杂浓度的P＋；中心一层则是较厚（0.5∼1微米）的纯质层（Intrinsic layer），但纯质层一般来说一般都不会是彻底的纯质（Intrinsic），而是掺杂浓度较低的n型资料；最下面一层则是较薄（0.02微米）的n。而这种p+-i-n的结构较传统p-n结构有较大的电场，使得纯质层中生成电子电洞对后能敏捷被电场别离。而在P＋上一层薄的氧化物膜为通明导电膜（Transparent ConducTIng Oxide:TCO），它可避免太阳光反射，以有用吸收太阳光，一般是运用二氧化硅（SnO2）。非晶硅太阳能电池最大的长处为本钱低，而缺陷则是功率低及光电转化功率随运用时间阑珊的问题。因而非晶硅太阳能电池在小电力商场上被广泛运用，但在发电商场上则较不具竞争力。
