近几十年来，电子技术发展十分敏捷，使用也越来越广泛，现在已成为现代科学技术的一个重要组成部分。那究竟什么是电子技术？简略地说，电子技术便是研讨电子器件、电子电路及其使用的科学技术，学习模电会为了咱们今后深化学习电子技术领域中的内容，以及电子技术在专业中的使用打好根底。
好了，让咱们以pN结的构成为起点，从而了解半导体二极管及其使用。
1、本征半导体：纯洁 晶体结构 共价键 自由电子 空穴（成对呈现）即载流子（2种）【空穴电流 电子电流】
特色：电阻率大 导电功能随温度改变比较大
2、掺杂半导体
a:N型半导体：掺入五价元素杂质（施主杂质），自由电子为多子（大都载流子称为多子）。
空穴为少子
多子的浓度与掺入杂质的浓度有关而不是与温度有关，少子的浓度与温度有关
b:P型半导体：掺入三价元素（硼）受主杂质，空穴为多子，自由电子为少子
若掺入五价元素杂质浓度多于三价杂质浓度，可由P型转向N型
3、PN结的构成
两头多子浓度不同——多子分散——构成内电场——阻止多子运动——加强少子的飘移——飘移和分散达到动态平衡——构成PN结
注：因为交界面两边的N型半导体和P型半导体存在多子浓度的极大差异，P型半导体一侧的多子为空穴，其浓度远大于N型半导体一侧；N型半导体一侧的多子为电子，其浓度又远大于P型半导体一侧。这种浓度差使多子彼此分散经过交界面抵达对方，并与对方的多子复合，使P区接近交界面处构成一个短少空穴，只要负离子的薄膜层；N区接近交界面处构成一个短少电子，只要正离子的薄层。
4、PN结的单向导电性
a:PN结的正向偏置 P——电源正极 N——电源负极，外电场使内电场削弱，动态平衡打破，多子分散运动加强，少子飘移运动削弱，构成正向电流——PN导通
b:PN结的反向偏置 P——电源负极 N——电源正极 ，则PN截止
5、pN结上电流与电压联系
存在如IF=Isexp（-eVF/kT）下联系，式中，-e为电子电量；k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；Is为反向饱和电流，。正向电压U>0,i=Isexp(U/ut); 反向电压U<0,i=IS(I 与U无关）。
