正向电压下降、暗光
(1)一种是电极与发光资料为欧姆触摸，但触摸电阻大，首要由资料衬底低浓度或电极残缺所形成的。
(2)一种是电极与资料为非欧姆触摸，首要发生在芯片电极制备进程中蒸腾第一层电极时的挤压印或夹印，散布方位。
别的封装进程中也或许形成正向压下降，首要原因有银胶固化不充分，支架或芯片电极沾污等形成触摸电阻大或触摸电阻不稳定。
正向压下降的芯片在固定电压测验时，经过芯片的电流小，然后体现暗点，还有一种暗光现象是芯片自身发光功率低，正向压降正常。
难压焊
(1)打不粘：首要因为电极外表氧化或有胶
(2)有与发光资料触摸不牢和加厚焊线层不牢，其间以加厚层掉落为主。
(3)打穿电极：一般与芯片资料有关，资料脆且强度不高的资料易打穿电极，一般GAALAS资料(如高红，红外芯片)较GAP资料易打穿电极。
(4)压焊调试应从焊接温度，超声波功率，超声时刻，压力，金球巨细，支架定位等进行调整。
发光色彩差异
(1)同一张芯片发光色彩有显着差异首要是因为外延片资料问题，ALGAINP四元素资料选用量子结构很薄，成长是很难确保各区域组分共同。(组分决议禁带宽度，禁带宽度决议波长)。
(2)GAP黄绿芯片，发光波长不会有很大误差，可是因为人眼对这个波段色彩灵敏，很简单查出偏黄，偏绿。因为波长是外延片资料决议的，区域越小，呈现色彩误差概念越小，故在M/T作业中有附近选取法。
(3)GAP赤色芯片有的发光色彩是偏橙黄色，这是因为其发光机理为直接跃进。受杂质浓度影响，电流密度加大时，易发生杂质能级偏移和发光饱满，发光是开端变为橙黄色。
闸流体效应
(1)是发光二极管在正常电压下无法导通，当电压加高到必定程度，电流发生骤变。
(2)发生闸流体现象原因是发光资料外延片成长时呈现了反向夹层，有此现象的LED在IF=20MA时测验的正向压降有躲藏性，在运用进程是出于南北极电压不行大，体现为不亮，可用测验信息仪器从晶体管图示仪测验曲线，也能够经过小电流IF=10UA下的正向压降来发现，小电流下的正向压降显着偏大，则或许是该问题所形成的。
反向漏电流IR
在限制条件下反向漏电流为二极管的根本特性，按LED曾经的惯例规则，指反向电压在5V时的反向漏电流。跟着发光二极管功能的进步，反向漏电流会越来越小。IR越小越好，发生原因为电子的不规则移动。
(1)芯片自身质量问题原因，或许晶片自身切开反常所导致。
(2)银胶点的太多，严峻时会导致短路。外延形成的反向漏电首要由PN结内部结构缺点所形成的，芯片制造进程中旁边面腐蚀不行或有银胶丝沾附在测面，严禁用有机溶液分配银胶。以避免银胶经过毛细现象爬到结区。
(3)静电击伤。外延资料，芯片制造，器材封装，测验一般5V下反向漏电流为10UA，也能够固定反向电流下测验反向电压。不同类型的LED反向特性相差大：普绿，普黄芯片反向击穿可到达一百多伏，而普红芯片则在十几二十伏之间。
(4)焊线压力操控不妥，形成晶片内崩导致IR升高。
解决方案：
(1)银胶胶量需操控在晶片高度的1/3～1/2;
(2)人体及机台静电量需操控在50V以下;
(3)焊线第一点的压力应操控在30～45g之间为佳。
死灯现象
(1)LED的漏电流过大形成PN结失效，使LED灯点不亮，这种状况一般不会影响其他的LED灯的作业。
(2)LED灯的内部衔接引线断开，形成LED无电流经过而发存亡灯，这种状况会影响其他的LED灯的正常作业，原因是因为LED灯作业电压低(红黄橙LED作业电压1.8v-2.2v，蓝绿白LED作业电压2.8-3.2v)，一般都要用串、并联来联接，来习惯不同的作业电压，串联的LED灯越多影响越大，只需其间有一个LED灯内部连线开路，将形成该串联电路的整串LED灯不亮，可见这种状况比第一种状况要严峻的多。
