绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了扩大才能稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰才能等方面较双极型三极管均有着显着的优势。
其间的大多数场效应管管，尤其是功率型场效应管管，内部集成有无缺的维护电路，运用起来与双极型三极管相同便利。不过，维护单元的存在却又使得场效应管内部结构变得愈加杂乱，丈量办法也与传统双极型三极管差不多。
一、根本类型MOS管测验
MOS管内部的维护环节有多种类型，这就决议了丈量进程存在着多样性，常见的NMOS管内部结构如图1、图2所示。
图1、图2所示NMOS管的D-S间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)。与图1稍有不同，图2所示NMOS管的G-S之间还规划了一只相似于双向稳压管的元件”维护二极管”，因为维护二极管的敞开电压较高，用万用表一般无法丈量出该二极管的单向导电性。因而，这两种管子的丈量办法根本相似，详细测验过程如下：
1．MOS管栅极与漏、源南北极之间绝缘阻值很高，因而在测验进程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值。而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象。挑选指针万用表的R×1kΩ挡，轮番测验恣意两只管脚之间的电阻值。当指针呈现较大起伏偏转时，与黑笔相接的管脚即为NMOS管的S极，与红笔相接的管脚为漏极D，剩下第3脚则为栅极G，如 图3所示。
2．短接G、D、S三只电极，泄放掉G-S极间等效结电容在前面测验进程中暂时存储电荷所建立起的电压UGS。图2所示MOS管的G-s极直接有双向维护二极管，可越过这一步。
3．万用表电阻挠切换到的R×10kΩ挡(内置9V电池)后调零。将黑笔接漏极D、红笔接源极S，经过上一步的短接放电后，UGS降为0V，MOS管没有导通，其D-S间电阻RDS为∞，故指针不会产生偏转，如 图4所示。
4．有以下两种办法能够对MOS管的质量与功能好坏作出精确的判别：榜首种办法：
①用手指碰触G-D极，此刻指针向右产生偏转，如图3所示。手指松开后，指针稍微有一些摇摆。
②用手指捏住G-S极，构成放电通道，此刻指针缓慢回转至电阻∞的方位，如图6所示。
图2所示MOS管的G-S直接有维护二极管，手指撤离G-D极后即便不去触摸G-S极，指针也将主动回到电阻∞的方位。值得注意的是，测验进程中手指不要触摸与测验过程不相关的管脚，包含与漏极D相连的散热片，防止后续丈量进程中因万用表指针偏转反常而形成误判。第二种办法：
①用红笔接源极S，黑笔接栅极G，对G-S之间的等效结%&&&&&%进行充电，此刻能够疏忽万用表指针的细微偏转，如图7所示。
