1. NandFlash接口电路
2. NandFlash接口信号
*NandFlash接口信号较少
*数据宽度只要8Bit，没有地址总线。地址和数据总线复用，串行读取
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信号称号 |
信号描绘 |
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IO[7..0] |
数据总线 |
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CE# |
片选信号(Chip Select)，低电平有用 |
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WE# |
写有用(Write Enable)，低电平表明当时总线操作是写操作 |
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RE# |
读有用(Read Enable)，低电平表明当时总线操作是读操作 |
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CLE |
指令锁存(Command Latch Enable)信号，写操作时给出此信号表明写指令 |
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ALE |
地址/数据锁存(Address Latch Enable)信号，写操作时给出此信号表明写地址或数据 |
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WP# |
写保护(Write Protect)信号 |
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R/B |
忙(Read/Busy)信号 |
3. NandFlash地址结构
*NandFlash设备的存储容量是以页(Page)和块(Block)为单位的。
*Page=528Byte(512Byte用于寄存数据，其他16Byte用于寄存其他信息，如块好坏的符号、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等)。
*Block=32Page
*容量为64MB的NandFlash存储结构为：512Byte×32Page×4096Block
*NandFlash以页为单位进行读和编程（写）操作，一页为512Byte；以块为单位进行擦除操作，一块为512Byte*32page=16KB
*关于64MB的NAND设备，需求26根地址线，因为NAND设备数据总线宽度是8位的，因而有必要通过4个时钟周期才能把悉数地址信息接纳下来
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I/O7 |
I/O6 |
I/O5 |
I/O4 |
I/O3 |
I/O2 |
I/O1 |
I/O0 |
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第一个周期 |
A7 |
A6 |
A5 |
A4 |
A3 |
A2 |
A1 |
A0 |
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第二个周期 |
A15 |
A14 |
A13 |
A12 |
A11 |
A10 |
A9 |
A8 |
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第三个周期 |
A23 |
A22 |
A21 |
A20 |
A19 |
A18 |
A17 |
A16 |
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第四个周期 |
A25 |
A24 |
*能够这么说，第一个时钟周期给出的是方针地址在一个page内的偏移量，然后三个时钟周期给出的是页地址。
*因为一个页内有512Byte，需求9bit的地址寻址，而第一个时钟周期只给出了低8bit，最高位A8由不同的读指令(Read Mode2)来区别的。
4.NandFlash的指令
