三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂，决定将先供给闪存(NANDFlash)量产运用。据南韩电子新闻报导，三星估计于2011年头竣工的半导体华城厂16产线，将于2011年下半开端优先量产闪存。
2010年5月在三星会长李健熙的参加下，华城厂16产线正式开工。包括建筑物费用等将阶段性投入12兆韩元进行建造。三星半导体16产线以12季г参基准，每月最大产能可达20万片以上。
三星将优先在16产线进行闪存出产作业，是因为近来计算机需求萎靡，且进入第3季后DRAM价格继续跌落，而闪存则搭上智能型手机(Smartphone)和平板计算机(TabletPC)热销热潮，需求也随之添加。
海力士(Hynix)曾对外表明2011年DRAM产能将保持与2010年相同水平，仅在微细制程转化上进行出资。但是至2010年末月产能约8万片的清州闪存专用M11产线，仍将于2011年扩展产能至12万片，也是为照应此市场趋势。
三星现在运用华城厂14产线及美国德州奥斯汀厂出产12季г仓圃焐链妫华城厂12产线则混合出产DRAM和闪存。
南韩业界相关人员表明，若三星将既有的闪存产线转化成微细电路制程，约可发明50~60%的位成长率(BitGrowth)，但三星2011年到达80%位成长率的方针，在履行面上则有困难。因而势必将现在兴建中的16产线转出产闪存，才或许到达80%的方针值。
